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600 V 和 650 V CoolMOS™ C7

实现创纪录的效率性能

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概述

英飞凌的 600 V 和 650 V CoolMOS™ C7 超结 （SJ） MOSFET 系列旨在实现创纪录的效率性能，与之前的 CoolMOS™ 系列和竞品相比，在硬开关应用中的整个负载范围内具有显著的效率优势。

关键特性

  • 开关损耗小-低 QG，Coss
  • 与 CoolMOS™ CP 相比，Eoss 减少 50%
  • 硬开关 (600 V & 650 V)
  • 高端谐振 (600V) 拓扑结构

产品

关于

CoolMOS™ 600 V 和 650 V C7 SJ MOSFET 提供业界领先的效率

650 V CoolMOS™ C7 — 市场领先、同类最佳，每个封装的导通电阻：与 600 V CoolMOS™ C7 相比，650 V CoolMOS™ C7 系列在一些硬开关应用中带来了新的性能水平，如需要额外 50 V 击穿电压的功率因数校正 （PFC） 等硬开关应用。 它通过平衡多个关键参数，在整个负载范围内提供效率优势。

我们的旗舰 CoolMOS™ C7 解决方案组合

600 V CoolMOS™ C7 – 我们用于硬开关和高端软开关拓扑的旗舰 CoolMOS™ 技术：与 CoolMOS™ CP 相比，600 V CoolMOS™ C7 系列的关断损耗 （Eoss） 降低了约 50%。 它在 PFC、TTF 和其他硬开关以及高端 LLC 拓扑中提供了卓越的性能，并将硅 MOSFET 的使用扩展到下一代最高效率的电源设计。

用于硬开关和软开关的最高效率 MOSFET（PFC 和 LLC）

BOM（物料清单）成本驱动型应用可以利用 C7 和 TO-247 4 引脚封装组合在满载时获得的效率。 这是通过增加 MOSFET 的 RDS (on) 来实现的，使其与之前的 3 引脚封装满载效率相匹配，从而降低成本（即 40 mΩ VS 70 mΩ 器件）。 开关频率加倍也节省了磁性元件材料。 铜绕组的成本可节省达 30%，铁芯成本可节省达 45%（取决于所使用的材料）。

CoolMOS™ 600 V 和 650 V C7 SJ MOSFET 提供业界领先的效率

650 V CoolMOS™ C7 — 市场领先、同类最佳，每个封装的导通电阻：与 600 V CoolMOS™ C7 相比，650 V CoolMOS™ C7 系列在一些硬开关应用中带来了新的性能水平，如需要额外 50 V 击穿电压的功率因数校正 （PFC） 等硬开关应用。 它通过平衡多个关键参数，在整个负载范围内提供效率优势。

我们的旗舰 CoolMOS™ C7 解决方案组合

600 V CoolMOS™ C7 – 我们用于硬开关和高端软开关拓扑的旗舰 CoolMOS™ 技术：与 CoolMOS™ CP 相比，600 V CoolMOS™ C7 系列的关断损耗 （Eoss） 降低了约 50%。 它在 PFC、TTF 和其他硬开关以及高端 LLC 拓扑中提供了卓越的性能，并将硅 MOSFET 的使用扩展到下一代最高效率的电源设计。

用于硬开关和软开关的最高效率 MOSFET（PFC 和 LLC）

BOM（物料清单）成本驱动型应用可以利用 C7 和 TO-247 4 引脚封装组合在满载时获得的效率。 这是通过增加 MOSFET 的 RDS (on) 来实现的，使其与之前的 3 引脚封装满载效率相匹配，从而降低成本（即 40 mΩ VS 70 mΩ 器件）。 开关频率加倍也节省了磁性元件材料。 铜绕组的成本可节省达 30%，铁芯成本可节省达 45%（取决于所使用的材料）。

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