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600 V CoolMOS™ G7

600 V CoolMOS™ C7 Gold（G7）

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概述

英飞凌科技在表面贴装器件（SMD）中推出 600 V CoolMOS™ C7 Gold（G7）技术，底部冷却 TO-Leadless（TOLL）。 英飞凌科技在表面贴装器件（SMD）中推出 600 V CoolMOS™ C7 Gold（G7）技术，底部冷却 TO-Leadless（TOLL）。 600 V CoolMOS™ G7 系列现在也采用英飞凌最新的顶部冷却封装创新，即 Double DPAK（DDPAK）封装。

关键特性

  • 最佳 RDS(on) x Eoss 和 RDS(on) x Qg
  • 最小尺寸 RDS(on)
  • 开尔文源/低源 (~1 nH)
  • 易于目视检查的引线

产品

关于

采用 TO-Leadless 和 DDPAK 封装的 600 V CoolMOS™ G7技术

600 V G7：功率密度可达同类最佳的 28 mΩ，占地面积为 115 mm² 的TOLL封装内。 TOLL 封装易于使用，具有最高的质量标准。 采用强大的芯片粘接工艺，不仅可以实现更高的可靠性封装，还可以改善散热性能，SMD TOLL 封装因而能够使用在比以往更高的电流设计中。

使用 600 V CoolMOS™ G7 （SJ） MOSFET 提高效率和密度

通过取代 TO 封装（高度限制）、或者由于散热或 RDS (on) 要求而并联 SMD 封装，从而在小占地面积内实现低 RDS (on)，提高功率密度。 通过 SMD 加速组装时间，降低生产成本。 开尔文源配置和低寄生源电感（~1 nH）。 通过带凹槽的销钉，可以轻松进行目视检查。

创新技术带来更快的切换速度和改进的设计

CoolMOS™ G7 采用最低寄生封装，封装了我们最先进的 CoolMOS™ 系列 （C7）。 它的输出电容仅为几十皮法拉（比前几代产品减少了约80％），栅极电容也有类似的降低。它是硬开关拓扑和软开关拓扑中使用高开关频率的最快器件之一。 事实证明，对于高于 1 kW 的 PFC 设计，效率提高了 0.5% 以上。

采用 TO-Leadless 和 DDPAK 封装的 600 V CoolMOS™ G7技术

600 V G7：功率密度可达同类最佳的 28 mΩ，占地面积为 115 mm² 的TOLL封装内。 TOLL 封装易于使用，具有最高的质量标准。 采用强大的芯片粘接工艺，不仅可以实现更高的可靠性封装，还可以改善散热性能，SMD TOLL 封装因而能够使用在比以往更高的电流设计中。

使用 600 V CoolMOS™ G7 （SJ） MOSFET 提高效率和密度

通过取代 TO 封装（高度限制）、或者由于散热或 RDS (on) 要求而并联 SMD 封装，从而在小占地面积内实现低 RDS (on)，提高功率密度。 通过 SMD 加速组装时间，降低生产成本。 开尔文源配置和低寄生源电感（~1 nH）。 通过带凹槽的销钉，可以轻松进行目视检查。

创新技术带来更快的切换速度和改进的设计

CoolMOS™ G7 采用最低寄生封装，封装了我们最先进的 CoolMOS™ 系列 （C7）。 它的输出电容仅为几十皮法拉（比前几代产品减少了约80％），栅极电容也有类似的降低。它是硬开关拓扑和软开关拓扑中使用高开关频率的最快器件之一。 事实证明，对于高于 1 kW 的 PFC 设计，效率提高了 0.5% 以上。

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