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600 V CoolMOS™ 8

高压超结 MOSFET 系列融合了 600 V CoolMOS™ 7 个系列的优点

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概述

600 V CoolMOS™ 8 是英飞凌最新的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，适用于各种应用。它们既包括小功率 SMPS，也包括大功率应用，如服务器、电信、固态断路器、固态继电器和电动汽车充电桩。

关键特性

  • 适用于硬开关和软开关
  • 降低开关 & 通态损耗
  • 超低 RDS(on)*A
  • 更高的功率密度
  • 简化散热管理
  • 改进 ESD 保护

产品

关于

600 V CoolMOS™ 8 高压超结 MOSFET 系列

600 V CoolMOS™ 8 是英飞凌最新的高压超结（SJ）MOSFET 技术。它集成了快速体二极管，适用于各种应用。它们既包括小功率 SMPS，也包括大功率应用，如服务器、电信、固态断路器、固态继电器和电动汽车充电桩。

优于现有的 600 V CoolMOS™ 7 系列产品

CoolMOS™ 8 的栅极电荷 (Q g ) 比 CFD7 降低了 20%，关断损耗 (E oss ) 比 CFD7 降低了 15%，反向恢复电荷 (Q rr ) 比 CFD7 降低了 10%，并且具有市场上最低的反向恢复时间 (t rr )。

CoolMOS™ 8 还具有顶部冷却封装。

探索高压MOSFET顶部冷却组件
应用

CoolMOS™ 8 设备在 LLC 和 ZVS 相移全桥等软开关拓扑中提供最高效率和一流的 (BiC) 可靠性。 此外，它在 PFC、TTF 和其他硬开关拓扑中提供了出色的性能。

此外， CoolMOS™ 8 凭借其优化的 R DS(on)实现了更高的功率密度，这使我们能够将 BiC 产品降至 7 mΩ 的个位数，并实现具有成本吸引力的基于 Si 的解决方案，从而补充我们的宽带隙 (WBG) 产品。

探索宽带隙 (WBG) 产品

600 V CoolMOS™ 8 高压超结 MOSFET 系列

600 V CoolMOS™ 8 是英飞凌最新的高压超结（SJ）MOSFET 技术。它集成了快速体二极管，适用于各种应用。它们既包括小功率 SMPS，也包括大功率应用，如服务器、电信、固态断路器、固态继电器和电动汽车充电桩。

优于现有的 600 V CoolMOS™ 7 系列产品

CoolMOS™ 8 的栅极电荷 (Q g ) 比 CFD7 降低了 20%，关断损耗 (E oss ) 比 CFD7 降低了 15%，反向恢复电荷 (Q rr ) 比 CFD7 降低了 10%，并且具有市场上最低的反向恢复时间 (t rr )。

CoolMOS™ 8 还具有顶部冷却封装。

探索高压MOSFET顶部冷却组件

应用

CoolMOS™ 8 设备在 LLC 和 ZVS 相移全桥等软开关拓扑中提供最高效率和一流的 (BiC) 可靠性。 此外，它在 PFC、TTF 和其他硬开关拓扑中提供了出色的性能。

此外， CoolMOS™ 8 凭借其优化的 R DS(on)实现了更高的功率密度，这使我们能够将 BiC 产品降至 7 mΩ 的个位数，并实现具有成本吸引力的基于 Si 的解决方案，从而补充我们的宽带隙 (WBG) 产品。

探索宽带隙 (WBG) 产品

文档

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