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650 V CoolMOS™ CFD7

CoolMOS™ 超结高压 MOSFET — 专为满足工业应用中的高效软开关拓扑而设计

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概述

650 V CoolMOS™ 超结 MOSFET CFD7 系列是英飞凌著名的 CoolMOS™ SJ MOSFET CFD7 系列的电压范围扩展，它是成熟的 CoolMOS™ SJ MOSFET CFD2 的后续产品。它通过额外的 50 V 击穿电压、集成的快速体二极管、改进的开关性能和出色的热特性，在软开关应用中达成高效率和高功率密度水平。

关键特性

  • 650 V 击穿电压
  • 超快速体二极管和极低 Qrr
  • 最低的 RDS(on) 温度变化
  • 大大降低了开关损耗

产品

关于

使用 650 V CoolMOS™ 高压 MOSFET 的主要优势

通过出色的硬换向耐用性和额外的安全余量实现可靠运行，适用于总线电压增加的设计。开关速度最快，可最大限度地提高开关频率，从而提高转换器的功率密度。在工业开关电源满载范围内的应用中具有出色的效率。
与市场上的替代产品相比，价格具竞争力

 

整个负载范围内均可实现高效率和高功率密度

与之前的 CFD2系列相比，CFD7 体二极管经过进一步优化，Qrr 减少了 50％，Trr 减少了 40％，Irrm 降低了 20％，从而显著降低了开启损耗。对于快速换向的器件，关断损耗已降低 50％ 以上，这使得整个负载范围内的效率曲线更加平坦。 通过降低 Rds（on）电阻对高温的灵敏度（与满载工作相关），可以进一步降低损耗。

例如，在电动汽车充电应用中，CFD7 的运行温度比 CFD2 或最接近的竞争对手器件要低 2-5 度，而在使用开尔文源封装时温度会进一步降低。在 3 kW 的服务器电源中使用 CFD7，可将损耗降低 10%（仅器件本身），从而实现显著的长期节能。

针对工业应用而优化调整的 CFD7 产品组合

CFD7 产品组合提供最先进的超结 650 V MOSFET，其导通电阻范围在 17mΩ 到 190 mΩ之间，颗粒度高。我们提供三种通孔封装（包括开尔文源封装 TO247）和三种表面贴装的薄型封装，例如 ThinPAK 8x8。该产品组合带有广受欢迎的顶部冷却型 QDPAK 封装，适用于大功率应用。

使用 650 V CoolMOS™ 高压 MOSFET 的主要优势

通过出色的硬换向耐用性和额外的安全余量实现可靠运行，适用于总线电压增加的设计。开关速度最快，可最大限度地提高开关频率，从而提高转换器的功率密度。在工业开关电源满载范围内的应用中具有出色的效率。
与市场上的替代产品相比，价格具竞争力

 

整个负载范围内均可实现高效率和高功率密度

与之前的 CFD2系列相比，CFD7 体二极管经过进一步优化，Qrr 减少了 50％，Trr 减少了 40％，Irrm 降低了 20％，从而显著降低了开启损耗。对于快速换向的器件，关断损耗已降低 50％ 以上，这使得整个负载范围内的效率曲线更加平坦。 通过降低 Rds（on）电阻对高温的灵敏度（与满载工作相关），可以进一步降低损耗。

例如，在电动汽车充电应用中，CFD7 的运行温度比 CFD2 或最接近的竞争对手器件要低 2-5 度，而在使用开尔文源封装时温度会进一步降低。在 3 kW 的服务器电源中使用 CFD7，可将损耗降低 10%（仅器件本身），从而实现显著的长期节能。

针对工业应用而优化调整的 CFD7 产品组合

CFD7 产品组合提供最先进的超结 650 V MOSFET，其导通电阻范围在 17mΩ 到 190 mΩ之间，颗粒度高。我们提供三种通孔封装（包括开尔文源封装 TO247）和三种表面贴装的薄型封装，例如 ThinPAK 8x8。该产品组合带有广受欢迎的顶部冷却型 QDPAK 封装，适用于大功率应用。

文档

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