这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

600 V CoolMOS™ S7

600 V CoolMOS™ S7 高压超结 MOSFET 系列以最优惠的价格为低频开关应用提供最佳性能

anchor

概述

S7 系列非常适合 MOSFET 的低频应用，如有源桥式整流、逆变级、浪涌继电器、PLC、功率固态继电器和断路器。S7T系列MOSFET配备内置温度传感器。该集成传感器有助于提高固态断路器和固态继电器 (SSR) 应用中结温传感的准确性。

关键特性

  • SMD封装中最小的RDS(on)
  • 蓝牙优化
  • 提高热阻
  • 高脉冲电流容量
  • 最高的体电阻涌抗扰度

产品

关于

600 V CoolMOS™ S7 高压超结（SJ）MOSFET

CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 专注于与开关损耗无关的应用，去除了与开关性能有关的功能，因此在达到极低 RDS(on) 值的同时，还优化了成本定位。

CoolMOS™ S7 MOSFET 建立在英飞凌 CoolMOS™ 7 成功的技术优化之上，该技术从器件中去除了与开关性能相关的冗余功能，因为这些功能在低频开关应用中是不需要的。

因此，对于要求低导通损耗且价格合理的应用而言，它是理想的 MOSFET。

此外，它也提供最佳性能并保持英飞凌的高质量标准。

CoolMOS™ S7T 是集成温度传感器的CoolMOS™ S7

这些功能的集成对许多电子应用的耐用性、安全性和效率产生了积极的影响。

对于应用而言，这意味着由于高精度嵌入式传感器及其卓越的 R DS(on)而提高了性能和可靠性。

600 V CoolMOS™ S7 产品组合

600 V S7 包括先进的表面贴装封装（Q-DPAK BSC（HDSOP）、Q-DPAK TSC（HDSOP）、TO-Leadless（HSOF-8））和通孔（TO-220）。R DS(on)范围从 10 mΩ 至 65 mΩ。

流线型设计可在低开关时达到最佳性能

S7 - 主要特点：

  • SMD 封装中具有一流的RDS(on)
  • 最佳超级结 MOSFET R DS(on)
  • 针对高性能进行了优化
  • 提高了耐热性
  • 高脉冲电流能力
  • 交流线路换向时的体二极管稳健性

S7 - 主要优点：

  • 减少传导损耗
  • 提高能源效率
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 消除或减少固态设计中的散热器
  • 降低 TCO 成本或 BOM 成本

S7T - 主要特点：

  • 增强的电源保护
  • 温度传感精度高，监控速度快
  • 提供 SMD 顶部冷却和底部冷却封装

S7T - 主要优点：

  • 减少外部传感元件
  • 比离散传感器精度高 40%
  • 比离散传感器解决方案快 4 倍
  • 降低 PCB 空间利用率
  • 实现功能安全
固态断路器和继电器

英飞凌 CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 使超结技术成为替代机电式继电器和断路器或改进现有固态设计的有效方法，非常经济实惠。与机电设备相比，S7 技术：

  • 切换更快
  • 使用寿命期间不会出现触点电弧、弹跳或导通电阻下降
  • 确保更高的系统可靠性和更长的系统寿命
  • 耐冲击、抗振动，且不受位置影响
  • 实现静音操作

英飞凌 S7 SJ MOSFET 的使用有助于实现位置和振动不敏感的解决方案，从而提高最终系统的易用性和可靠性。

低频开关应用的性价比优化

与 SCR、TRIAC 和高压平面 MOSFET 等替代硅器件相比， CoolMOS™ S7 器件：

提高系统效率和密度 - 允许使用更小的散热器（体积减少 40% 至 80%）；在不改变系统外形和环境条件的情况下实现更高的系统电流额定值；切换速度比 TRIAC 更快；并且易于并联。

600 V CoolMOS™ S7 高压超结（SJ）MOSFET

CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 专注于与开关损耗无关的应用，去除了与开关性能有关的功能，因此在达到极低 RDS(on) 值的同时，还优化了成本定位。

CoolMOS™ S7 MOSFET 建立在英飞凌 CoolMOS™ 7 成功的技术优化之上，该技术从器件中去除了与开关性能相关的冗余功能，因为这些功能在低频开关应用中是不需要的。

因此，对于要求低导通损耗且价格合理的应用而言，它是理想的 MOSFET。

此外，它也提供最佳性能并保持英飞凌的高质量标准。

CoolMOS™ S7T 是集成温度传感器的CoolMOS™ S7

这些功能的集成对许多电子应用的耐用性、安全性和效率产生了积极的影响。

对于应用而言，这意味着由于高精度嵌入式传感器及其卓越的 R DS(on)而提高了性能和可靠性。

600 V CoolMOS™ S7 产品组合

600 V S7 包括先进的表面贴装封装（Q-DPAK BSC（HDSOP）、Q-DPAK TSC（HDSOP）、TO-Leadless（HSOF-8））和通孔（TO-220）。R DS(on)范围从 10 mΩ 至 65 mΩ。

流线型设计可在低开关时达到最佳性能

S7 - 主要特点：

  • SMD 封装中具有一流的RDS(on)
  • 最佳超级结 MOSFET R DS(on)
  • 针对高性能进行了优化
  • 提高了耐热性
  • 高脉冲电流能力
  • 交流线路换向时的体二极管稳健性

S7 - 主要优点：

  • 减少传导损耗
  • 提高能源效率
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 消除或减少固态设计中的散热器
  • 降低 TCO 成本或 BOM 成本

S7T - 主要特点：

  • 增强的电源保护
  • 温度传感精度高，监控速度快
  • 提供 SMD 顶部冷却和底部冷却封装

S7T - 主要优点：

  • 减少外部传感元件
  • 比离散传感器精度高 40%
  • 比离散传感器解决方案快 4 倍
  • 降低 PCB 空间利用率
  • 实现功能安全

固态断路器和继电器

英飞凌 CoolMOS™ S7 SJ MOSFET 使超结技术成为替代机电式继电器和断路器或改进现有固态设计的有效方法，非常经济实惠。与机电设备相比，S7 技术：

  • 切换更快
  • 使用寿命期间不会出现触点电弧、弹跳或导通电阻下降
  • 确保更高的系统可靠性和更长的系统寿命
  • 耐冲击、抗振动，且不受位置影响
  • 实现静音操作

英飞凌 S7 SJ MOSFET 的使用有助于实现位置和振动不敏感的解决方案，从而提高最终系统的易用性和可靠性。

低频开关应用的性价比优化

与 SCR、TRIAC 和高压平面 MOSFET 等替代硅器件相比， CoolMOS™ S7 器件：

提高系统效率和密度 - 允许使用更小的散热器（体积减少 40% 至 80%）；在不改变系统外形和环境条件的情况下实现更高的系统电流额定值；切换速度比 TRIAC 更快；并且易于并联。

文档

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }