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600 V CoolMOS™ PFD7

超高功率密度设计和节能家电驱动器的新进阶

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概述

英飞凌凭借 20 多年超结技术创新的开拓经验，开发的 600V CoolMOS™ PFD7 高压 MOSFET 系列在 600V 超结 (SJ) 技术领域设立了新标杆。该系列结合了同类最佳的性能和最先进的易用性，并采用集成式快速体二极管，确保器件坚固耐用，进而降低客户的 BOM。

关键特性

产品

关于

600 V CoolMOS™ PFD7 高压超结（SJ）MOSFET

与 CoolMOS™ P7 技术相比，该产品系列的效率提高了 1.17%，功率密度提高了 1.8 W/in3。CoolMOS™ PFD7 将 SJ MOSFET 技术推向了新的极限，在降低导通损耗和充放电损耗以及关断和栅极驱动损耗方面都取得了卓越的改进。

最新的 600 V CoolMOS™ PFD7 产品组合

宽范围的 RDS(on)（从 125 mΩ 到 2 Ohm）与各种封装相结合，有助于选择合适的器件来优化设计。此外，高达 2 kV 的集成式 ESD 保护可消除与 ESD 相关的产量损失。同时，我们业界领先的 SMD 封装产品（DPAK (TO-252)、SOT-223 和 ThinPAK 5x6）有助于节省材料和 PCB 空间，并简化制造。

一流的性能和卓越的易用性
  • 最小化开关损耗
  • 与最新的CoolMOS™充电器技术相比，功率密度有所提高
  • 与家用电器电机驱动的CoolMOS™ CE 技术相比，效率更高（尤其是在轻载运行时），热性能也更好
  • 降低 BOM 成本并简化制造
  • 鲁棒性和可靠性
  • 轻松选择合适的部件进行设计微调
功率密度更高，集成了坚固耐用的快速体二极管
  • 极低的 FOM R DS(on) x E oss
  • 集成稳健的快速体二极管，具有超低 Q rr和业界最快的恢复时间 (T rr ）
  • 高达 2 kV 的 ESD 保护（HBM 2 类）
  • 广泛的 RDS(on) 值
  • 出色的换向鲁棒性
  • 低电磁干扰
  • 多种封装组合
下一代节能家电和消费类应用

该产品系列扩展了 CoolMOS™ 7 系列的范围，适用于超高功率密度充电器、旅行适配器和低功率电机驱动器。600 V CoolMOS™ PFD7 具有快速开关和低导通损耗带来的所有能效优势，同时降低了振荡趋势，使用方便。

为了防止组装阶段发生故障，600 V CoolMOS™ PFD7 系列 RDS(on) 大于或等于 280 mΩ 时，ESD 强度大于 2 kV (HBM)。

同时，超低的反向恢复电荷 (Qrr) 提高了电机驱动应用的效率，并提高了基于半桥拓扑（如反激式有源钳位）的高密度适配器的可靠性；在异常情况下，导电体二极管可能会发生硬换向。

600 V CoolMOS™ PFD7 高压超结（SJ）MOSFET

与 CoolMOS™ P7 技术相比，该产品系列的效率提高了 1.17%，功率密度提高了 1.8 W/in3。CoolMOS™ PFD7 将 SJ MOSFET 技术推向了新的极限，在降低导通损耗和充放电损耗以及关断和栅极驱动损耗方面都取得了卓越的改进。

最新的 600 V CoolMOS™ PFD7 产品组合

宽范围的 RDS(on)（从 125 mΩ 到 2 Ohm）与各种封装相结合，有助于选择合适的器件来优化设计。此外，高达 2 kV 的集成式 ESD 保护可消除与 ESD 相关的产量损失。同时，我们业界领先的 SMD 封装产品（DPAK (TO-252)、SOT-223 和 ThinPAK 5x6）有助于节省材料和 PCB 空间，并简化制造。

一流的性能和卓越的易用性
  • 最小化开关损耗
  • 与最新的CoolMOS™充电器技术相比，功率密度有所提高
  • 与家用电器电机驱动的CoolMOS™ CE 技术相比，效率更高（尤其是在轻载运行时），热性能也更好
  • 降低 BOM 成本并简化制造
  • 鲁棒性和可靠性
  • 轻松选择合适的部件进行设计微调

功率密度更高，集成了坚固耐用的快速体二极管
  • 极低的 FOM R DS(on) x E oss
  • 集成稳健的快速体二极管，具有超低 Q rr和业界最快的恢复时间 (T rr ）
  • 高达 2 kV 的 ESD 保护（HBM 2 类）
  • 广泛的 RDS(on) 值
  • 出色的换向鲁棒性
  • 低电磁干扰
  • 多种封装组合

下一代节能家电和消费类应用

该产品系列扩展了 CoolMOS™ 7 系列的范围，适用于超高功率密度充电器、旅行适配器和低功率电机驱动器。600 V CoolMOS™ PFD7 具有快速开关和低导通损耗带来的所有能效优势，同时降低了振荡趋势，使用方便。

为了防止组装阶段发生故障，600 V CoolMOS™ PFD7 系列 RDS(on) 大于或等于 280 mΩ 时，ESD 强度大于 2 kV (HBM)。

同时，超低的反向恢复电荷 (Qrr) 提高了电机驱动应用的效率，并提高了基于半桥拓扑（如反激式有源钳位）的高密度适配器的可靠性；在异常情况下，导电体二极管可能会发生硬换向。

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