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800 V 和 900 V CoolMOS™ C3

800 V 和 900 V CoolMOS™ C3 超结 MOSFET

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概述

CoolMOS™ C3器件是首批将MOSFET带入超结领域的器件之一。 与其他传统高压 MOSFET 相比，这使导通电阻显著降低了四倍。 CoolMOS™ C3 具有低导通和开关损耗。 CoolMOS™ C3 非常适合传统的高效开关模式电源、工业和可再生能源应用。

关键特性

  • 低栅极电荷可实现快速切换
  • 低导通损耗 (RDS(on)) *A)
  • 800 V 和 900 V 优化范围
  • 低 Eoss @400V 用于快速开关

产品

关于

使用 800 V 和 900 V CoolMOS™ C3 SJ MOSFET，为您的系统供电

作为首批基于超结原理的 MOSFET 之一，C3 系列在传导损耗方面取得了突飞猛进的大幅改善。 此外，该系列还提高了开关速度，实现了无与伦比的性价比。

阅读更多关于 900V CoolMOS™ C3 的信息
低开关和导通损耗可降低功耗

与其他 900 V 传统 MOSFET 相比，每种封装类型的导通电阻 (RDS(on)) 可大幅降低 4 倍甚至更多。 900 V CoolMOS™ C3 还提供非常低的品质因数导通电阻时间栅极电荷(RDS(on)*Qg) ，仅为 34W*nC，这意味着低导通、驱动和开关损耗。

与传统的 900 V MOSFET 相比，其输出电容中存储的能量减少了两倍，从而降低了硬开关开启期间的功率损耗。

即使在重负载条件下也具有出色的热特性

900 V CoolMOS™ C3 非常适合高效开关电源、工业和可再生能源应用。 由于设计人员可以允许更高的直流母线或输入电压，因此可以更改设计标准。 使用直流母线电压高达 750 V 的 3 相 PFC 和 PWM 级的高功率应用将受益于 900 V CoolMOS™ C3，在 TO-247 封装中提供最低的导通电阻。

高阻断电压与低导通损耗和开关损耗相结合，也为准谐振反激式和单晶体管正向拓扑结构提供了新的设计标准，例如可以在液晶电视和 PC 银盒中使用。 更高的效率、更低的系统成本和高功率密度为未来的系统开发指明了方向。

使用 800 V 和 900 V CoolMOS™ C3 SJ MOSFET，为您的系统供电

作为首批基于超结原理的 MOSFET 之一，C3 系列在传导损耗方面取得了突飞猛进的大幅改善。 此外，该系列还提高了开关速度，实现了无与伦比的性价比。

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低开关和导通损耗可降低功耗

与其他 900 V 传统 MOSFET 相比，每种封装类型的导通电阻 (RDS(on)) 可大幅降低 4 倍甚至更多。 900 V CoolMOS™ C3 还提供非常低的品质因数导通电阻时间栅极电荷(RDS(on)*Qg) ，仅为 34W*nC，这意味着低导通、驱动和开关损耗。

与传统的 900 V MOSFET 相比，其输出电容中存储的能量减少了两倍，从而降低了硬开关开启期间的功率损耗。

即使在重负载条件下也具有出色的热特性

900 V CoolMOS™ C3 非常适合高效开关电源、工业和可再生能源应用。 由于设计人员可以允许更高的直流母线或输入电压，因此可以更改设计标准。 使用直流母线电压高达 750 V 的 3 相 PFC 和 PWM 级的高功率应用将受益于 900 V CoolMOS™ C3，在 TO-247 封装中提供最低的导通电阻。

高阻断电压与低导通损耗和开关损耗相结合，也为准谐振反激式和单晶体管正向拓扑结构提供了新的设计标准，例如可以在液晶电视和 PC 银盒中使用。 更高的效率、更低的系统成本和高功率密度为未来的系统开发指明了方向。

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