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650V CoolMOS ™ 8

高压超结 MOSFET 系列融合了 650V CoolMOS ™ 7 技术的优势

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概述

650 V CoolMOS ™ 8 是英飞凌最新的高压超结 MOSFET 技术。它配备集成快速体二极管，适用于各种各样的应用。它专注于高功率应用，例如服务器、电信、固态断路器、固态继电器和电动汽车充电站。

关键特性

  • 适合硬开关和软开关
  • 更低的开关和传导损耗
  • 最佳硅 RDS(on) *A 技术
  • 先进的互连技术
  • 集成快速体二极管

产品

关于

关于 650 V CoolMOS™ 8

650 V CoolMOS™ 8 的效率比其前代产品有所提高。 此外，它还增强了 600 V CoolMOS™ 8 产品组合。

650 V 和 600 V CoolMOS™ 8 在高压线和低压线中具有相似的性能。 600 V 和 650 V 之间的满载性能差异主要来自 R DS(on)驱动的传导损耗。

主要特性：

  • 适合硬切换和软切换
  • 降低开关 & 通态损耗
  • 先进的互连技术
  • 集成快速体二极管
  • 最佳硅 R DS(on) *A 技术

应用用途：最适合硬开关和软开关

CoolMOS™ 8 在 PFC 和 LLC 等软开关拓扑中提供最高效率和一流的 (BiC) 可靠性。 此外，它在 PFC 和 LLC 拓扑中都提供了出色的性能。

此外， CoolMOS™ 8 凭借其优化的 R DS(on)实现了更高的功率密度，这使我们能够将 BiC 产品降至 8 mOhm 的个位数，并实现具有成本吸引力的基于 Si 的解决方案，从而补充我们的宽带隙 (WBG) 产品。

关键应用

关于 650 V CoolMOS™ 8

650 V CoolMOS™ 8 的效率比其前代产品有所提高。 此外，它还增强了 600 V CoolMOS™ 8 产品组合。

650 V 和 600 V CoolMOS™ 8 在高压线和低压线中具有相似的性能。 600 V 和 650 V 之间的满载性能差异主要来自 R DS(on)驱动的传导损耗。

主要特性：

  • 适合硬切换和软切换
  • 降低开关 & 通态损耗
  • 先进的互连技术
  • 集成快速体二极管
  • 最佳硅 R DS(on) *A 技术

应用用途：最适合硬开关和软开关

CoolMOS™ 8 在 PFC 和 LLC 等软开关拓扑中提供最高效率和一流的 (BiC) 可靠性。 此外，它在 PFC 和 LLC 拓扑中都提供了出色的性能。

此外， CoolMOS™ 8 凭借其优化的 R DS(on)实现了更高的功率密度，这使我们能够将 BiC 产品降至 8 mOhm 的个位数，并实现具有成本吸引力的基于 Si 的解决方案，从而补充我们的宽带隙 (WBG) 产品。

文档

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