这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

600 V CoolMOS™ CFD7

高压超结 MOSFET 系列，适用于大功率 SMPS 应用中的谐振拓扑结构

anchor

概述

600 V CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 采用了英飞凌的高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管，是CoolMOS™ 7系列的新一代产品。CFD7 是 CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFET 系列的新一代产品，与竞争产品相比，具有更低的栅极电荷 (Qg)、更佳的关断性能，反向恢复电荷（Qrr）降低至 69%，以及市场上最短的反向恢复时间（trr）。

关键特性

  • 超快体二极管
  • 最小的反向恢复电荷
  • 最高的 dV/dt 和 di/dt 鲁棒性
  • 最低的 FOM RDS(on) x Qg 和 Eoss

产品

关于

600 V CoolMOS™ CFD7 超结（SJ）MOSFET

世界上最好的 Qrr 变得更好了！CoolMOS™ CFD7 是 CoolMOS™ CFD2 系列的新一代产品。与竞争对手相比，CFD7 降低了栅极电荷（Qg），改善了关断性能，反向恢复电荷（Qrr）降低至 69％，并且具有市场上最低的反向恢复时间（trr）。由于这些特性， CoolMOS™ CFD7 在 LLC 和 ZVS 相移全桥等软开关拓扑中实现了最高的效率和一流的可靠性。

此外，CoolMOS™ CFD7 还实现了更高的功率密度 — 这要归功于其优化的 RDS(on)。综上所述，与竞争对手的产品相比，这款最新的快速体二极管系列，将快速开关技术的优势与卓越的换向耐用性相结合，同时又不影响设计过程中的轻松实现，具有明显的优势。

600 V CoolMOS™ 7 产品系列

英飞凌旗舰产品 CoolMOS™ 7 拥有全面而细分的产品组合，其 RDS(on) 范围从 18 mOhm 到 360 mOhm 。这些器件采用九种不同的通孔式和表贴式封装，包括最新的顶部冷却 QDPAK 封装，适用于这一功率范围。

一流的可靠性，最高的能效

应用测量结果表明，最新的 CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 系列的特性显著提高了谐振开关拓扑的效率。与市场上的主要竞争对手相比，CoolMOS™ CFD7 的能效提高达 1.45%，超过了目标应用的要求。

600 V CoolMOS™ CFD7 超结（SJ）MOSFET

世界上最好的 Qrr 变得更好了！CoolMOS™ CFD7 是 CoolMOS™ CFD2 系列的新一代产品。与竞争对手相比，CFD7 降低了栅极电荷（Qg），改善了关断性能，反向恢复电荷（Qrr）降低至 69％，并且具有市场上最低的反向恢复时间（trr）。由于这些特性， CoolMOS™ CFD7 在 LLC 和 ZVS 相移全桥等软开关拓扑中实现了最高的效率和一流的可靠性。

此外，CoolMOS™ CFD7 还实现了更高的功率密度 — 这要归功于其优化的 RDS(on)。综上所述，与竞争对手的产品相比，这款最新的快速体二极管系列，将快速开关技术的优势与卓越的换向耐用性相结合，同时又不影响设计过程中的轻松实现，具有明显的优势。

600 V CoolMOS™ 7 产品系列

英飞凌旗舰产品 CoolMOS™ 7 拥有全面而细分的产品组合，其 RDS(on) 范围从 18 mOhm 到 360 mOhm 。这些器件采用九种不同的通孔式和表贴式封装，包括最新的顶部冷却 QDPAK 封装，适用于这一功率范围。

一流的可靠性，最高的能效

应用测量结果表明，最新的 CoolMOS™ CFD7 SJ MOSFET 系列的特性显著提高了谐振开关拓扑的效率。与市场上的主要竞争对手相比，CoolMOS™ CFD7 的能效提高达 1.45%，超过了目标应用的要求。

文档

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }