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650 V CoolMOS™ CFD2

带快速体二极管，兼顾效率与鲁棒性

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概述

CoolMOS™ CFD2 超结（SJ）MOSFET 系列具有集成快速体二极管的 MOSFET。 CFD2 系列得益于优化的软换向特性，因此可以降低 EMI。此外，这种超结 MOSFET 技术还具有轻载效率、栅极电荷低、易于实现和可靠性高等优点。该技术现已被 CoolMOS™ CFD7 所取代。

关键特性

  • 650 V 技术和快速体二极管
  • 电压过冲小
  • RDS(on)分布紧密
  • 反向恢复损耗小

产品

关于

650 V CoolMOS™ CFD2 超结（SJ）MOSFET，带快速体二极管

随着 650 V CoolMOS™ CFD2 的问世，英飞凌推出了市场领先的第二代集成快速体二极管的高压 CoolMOS™ MOSFET。CFD2 器件是 600 V CFD 的后继产品，能效更高。

与竞争对手的器件相比，更柔和的换向特性以及更好的 EMI 特性使该产品具有明显的优势。CFD2 是市场上首款集成快速体二极管的 650 V MOSFET 技术。

该产品组合具有快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时具有更好的轻载效率、更低的栅极电荷、易于实现和出色的可靠性。与上一代产品 600 V CFD 相比，CFD2 技术的价格更低，并针对谐振开关应用进行了调整。

CoolMOS™ CFD2 封装与产品组合

600 V CoolMOS™ CFD2 超结（SJ）MOSFET 采用 SMD 封装（D2PAK（TO-263）、DPAK（TO-252）、ThinPAK 8x8）和通孔封装（TO-220、隔离式 TO-220 FullPAK、TO-247）。

器件的额定电流范围 41 mΩ/68.5 A 到 950 mΩ/3.9 A。

易用性最高，便于快速设计

CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFET具有非常低的电压过冲和最小的震荡现象。降低的栅极尖峰与 200 V 的高安全裕量相结合，可实现快速设计，而无需额外的震荡控制。这使它们成为 ZVS 移相全桥、LLC 拓扑、交流/直流桥和 3 电平逆变器的热门选择。

最低反向恢复电荷和反向恢复时间带来了最高的可靠性

在 ZVS 拓扑中，硬换向占主导地位，要求器件具有出色的快速体二极管性能，这取决于较低的 Qrr（反向恢复电荷）和 Trr（反向恢复时间）。CoolMOS™ CFD2 的快速反向恢复为设计人员提供了在体二极管未完全恢复时降低器件应力的好处，并为设计中的重复硬换向提供了额外的安全裕度，从而减少了设计工作。

650 V CoolMOS™ CFD2 超结（SJ）MOSFET，带快速体二极管

随着 650 V CoolMOS™ CFD2 的问世，英飞凌推出了市场领先的第二代集成快速体二极管的高压 CoolMOS™ MOSFET。CFD2 器件是 600 V CFD 的后继产品，能效更高。

与竞争对手的器件相比，更柔和的换向特性以及更好的 EMI 特性使该产品具有明显的优势。CFD2 是市场上首款集成快速体二极管的 650 V MOSFET 技术。

该产品组合具有快速开关超结 MOSFET 的所有优点，同时具有更好的轻载效率、更低的栅极电荷、易于实现和出色的可靠性。与上一代产品 600 V CFD 相比，CFD2 技术的价格更低，并针对谐振开关应用进行了调整。

CoolMOS™ CFD2 封装与产品组合

600 V CoolMOS™ CFD2 超结（SJ）MOSFET 采用 SMD 封装（D2PAK（TO-263）、DPAK（TO-252）、ThinPAK 8x8）和通孔封装（TO-220、隔离式 TO-220 FullPAK、TO-247）。

器件的额定电流范围 41 mΩ/68.5 A 到 950 mΩ/3.9 A。

易用性最高，便于快速设计

CoolMOS™ CFD2 SJ MOSFET具有非常低的电压过冲和最小的震荡现象。降低的栅极尖峰与 200 V 的高安全裕量相结合，可实现快速设计，而无需额外的震荡控制。这使它们成为 ZVS 移相全桥、LLC 拓扑、交流/直流桥和 3 电平逆变器的热门选择。

最低反向恢复电荷和反向恢复时间带来了最高的可靠性

在 ZVS 拓扑中，硬换向占主导地位，要求器件具有出色的快速体二极管性能，这取决于较低的 Qrr（反向恢复电荷）和 Trr（反向恢复时间）。CoolMOS™ CFD2 的快速反向恢复为设计人员提供了在体二极管未完全恢复时降低器件应力的好处，并为设计中的重复硬换向提供了额外的安全裕度，从而减少了设计工作。

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