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抗辐射功率 MOSFET单管

空间用 20 V - 650 V 高可靠性 MOSFET

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概述

英飞凌抗辐射 MOSFET 单管经筛选符合 MIL-PRF-19500 和 ESCC-5000 标准，采用密封包装，符合 DLA 。某些抗辐射 MOSFET 也可作为合格的裸片提供。 这些抗辐射 MOSFET 单管专为卫星总线平台和有效载荷供电的关键任务而设计，非常适合 PoL 转换器、配电、隔离式 DC-DC 转换、热管理等多种应用。

关键特性

  • 可承受单粒子事件效应（SEE）
  • 低RDS(on)
  • 快速开关
  • 低栅极总电荷

产品

关于

抗辐射 MOSFET 空间和卫星应用

英飞凌为空间功率应用提供抗辐射 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，其工作寿命可达 15 年或更长。该产品系列有单通道、双通道和四通道可供选择，可满足各种应用需求，例如：

  • 用于 FPGA、ASIC 和 DSP 核心轨的负载点 (PoL) 转换器
  • 同步整流
  • 有源或电路
  • 配电电路，包括冗余电源
  • 负载开关
  • 隔离式 DC-DC 变换器
  • 电机驱动
  • 浪涌电流保护
  • 电力推进
  • 电池充电和电池管理系统
  • 热管理
抗辐射 MOSFET 和 IC 选型指南
对 IR HiRel 系列的抗辐射 FET 进行 DLA 质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 系列产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保在空间和国防应用的典型恶劣条件下，产品性能符合规标准。

美国国防后勤局（DLA）作为控制机构，已发布以下规范，对半导体器件和混合模块的质量一致性测试顺序进行管理：MIL-PRF-19500/MIL-STD-750、MIL-PRF-38534/MIL-STD-883 和 MIL-PRF-38535/MIL-STD-883。

其中，MIL-PRF-19500/MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。

MIL-PRF-19500 和 MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。MIL-PRF-19500 规定分立半导体的制造标准应达到 JAN、JANTX、JANTXV 或 JANS 级别（注意：MOSFET 不允许以 JAN 级别进行制造）。

HiRel 质量
英飞凌抗辐射 FET 的欧空局（ESA）质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保产品能够在军事和空间应用所工作的恶劣环境中发挥所规定的性能。

欧洲航天局（ESA）作为控制机构，已发布相关规范，用于监管分立半导体元件、气密密封和芯片（ESCC-5000）进行的质量一致性测试序列。

英飞凌 IR HiRel 密封产品适用于（1）商用产品密封，P 级，其贴合度、形状、功能与飞行零件相同，没有抗辐射或屏蔽性需求，符合 ESCC 通用规范第 5000 号中的图 F3（2）ESCC-5000 空间认证，适合飞行使用。此类器件表示为（ES）。英飞凌可提供合格的裸片版抗辐射 MOSFET。

英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌的抗辐射 MOSFET 经过测试，以验证其抗辐射能力，其保障计划基于 ESCC-5000、MIL-PRF-19500 和相关文件中概述的要求。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求，其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定，以进行直接比较。通过设计技术增强的辐射几乎消除了抗辐射功率 MOSFET 中出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁 (SEB) 的可能性。另外，通过大量的 SEE 测试，性能的稳健性得到了验证。

抗辐射测试方法-功率 MOSFET

抗辐射 MOSFET 空间和卫星应用

英飞凌为空间功率应用提供抗辐射 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，其工作寿命可达 15 年或更长。该产品系列有单通道、双通道和四通道可供选择，可满足各种应用需求，例如：

  • 用于 FPGA、ASIC 和 DSP 核心轨的负载点 (PoL) 转换器
  • 同步整流
  • 有源或电路
  • 配电电路，包括冗余电源
  • 负载开关
  • 隔离式 DC-DC 变换器
  • 电机驱动
  • 浪涌电流保护
  • 电力推进
  • 电池充电和电池管理系统
  • 热管理
抗辐射 MOSFET 和 IC 选型指南

对 IR HiRel 系列的抗辐射 FET 进行 DLA 质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 系列产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保在空间和国防应用的典型恶劣条件下，产品性能符合规标准。

美国国防后勤局（DLA）作为控制机构，已发布以下规范，对半导体器件和混合模块的质量一致性测试顺序进行管理：MIL-PRF-19500/MIL-STD-750、MIL-PRF-38534/MIL-STD-883 和 MIL-PRF-38535/MIL-STD-883。

其中，MIL-PRF-19500/MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。

MIL-PRF-19500 和 MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。MIL-PRF-19500 规定分立半导体的制造标准应达到 JAN、JANTX、JANTXV 或 JANS 级别（注意：MOSFET 不允许以 JAN 级别进行制造）。

HiRel 质量

英飞凌抗辐射 FET 的欧空局（ESA）质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保产品能够在军事和空间应用所工作的恶劣环境中发挥所规定的性能。

欧洲航天局（ESA）作为控制机构，已发布相关规范，用于监管分立半导体元件、气密密封和芯片（ESCC-5000）进行的质量一致性测试序列。

英飞凌 IR HiRel 密封产品适用于（1）商用产品密封，P 级，其贴合度、形状、功能与飞行零件相同，没有抗辐射或屏蔽性需求，符合 ESCC 通用规范第 5000 号中的图 F3（2）ESCC-5000 空间认证，适合飞行使用。此类器件表示为（ES）。英飞凌可提供合格的裸片版抗辐射 MOSFET。

英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌的抗辐射 MOSFET 经过测试，以验证其抗辐射能力，其保障计划基于 ESCC-5000、MIL-PRF-19500 和相关文件中概述的要求。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求，其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定，以进行直接比较。通过设计技术增强的辐射几乎消除了抗辐射功率 MOSFET 中出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁 (SEB) 的可能性。另外，通过大量的 SEE 测试，性能的稳健性得到了验证。

抗辐射测试方法-功率 MOSFET

文档

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