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N 沟道抗辐射功率 MOSFET

20 V 到 650 V 的高性能 N 沟道抗辐射功率 MOSFET，符合 DLA 和 ESA 空间应用标准

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概述

英飞凌拥有各种型号的 N 沟道抗辐射 MOSFET，经筛选符合 MIL-PRF-19500 和 ESCC-5000 标准，采用密封包装，符合 DLA 。部分抗辐射MOSFET 也可作为裸片提供。

关键特性

  • 可承受单粒子事件效应（SEE）
  • 低 RDS(on)
  • 快速开关
  • 栅极总电荷低

产品

关于

抗辐射 N 沟道 MOSFET 的应用

英飞凌的抗辐射 N 沟道 MOSFET 专为关键任务太空电源应用而设计，使用寿命超过 15 年，例如：

  • 用于 FPGA、ASIC 和 DSP 核心轨的负载点 (PoL) 转换器
  • 同步整流
  • 有源或电路
  • 配电装置
  • 负载开关
  • 隔离式 DC-DC 变换器
  • 电机驱动
  • 电力推进
  • 热管理
对 IR HiRel 系列的抗辐射 FET 进行 DLA 质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 系列产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保在空间和国防应用的典型恶劣条件下，产品性能符合规标准。

美国国防后勤局（DLA）作为控制机构，已发布以下规范，对半导体器件和混合模块的质量一致性测试顺序进行管理：MIL-PRF-19500/MIL-STD-750、MIL-PRF-38534/MIL-STD-883 和 MIL-PRF-38535/MIL-STD-883。

其中，MIL-PRF-19500/MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。

MIL-PRF-19500 和 MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。MIL-PRF-19500 规定分立半导体的制造标准应达到 JAN、JANTX、JANTXV 或 JANS 级别（注意：MOSFET 不允许以 JAN 级别进行制造）。

HiRel 质量
英飞凌抗辐射 FET 的欧空局（ESA）质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保产品能够在军事和空间应用所工作的恶劣环境中发挥所规定的性能。

欧洲航天局（ESA）作为控制机构，已发布相关规范，用于监管分立半导体元件、气密密封和芯片（ESCC-5000）进行的质量一致性测试序列。

英飞凌 IR HiRel 密封产品适用于（1）商用产品密封，P 级，其贴合度、形状、功能与飞行零件相同，没有抗辐射或屏蔽性需求，符合 ESCC 通用规范第 5000 号中的图 F3（2）ESCC-5000 空间认证，适合飞行使用。此类器件表示为（ES）。英飞凌可提供合格的裸片版抗辐射 MOSFET。

英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌的抗辐射 MOSFET 经过测试，以验证其抗辐射能力，其保障计划基于 ESCC-5000、MIL-PRF-19500 和相关文件中概述的要求。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求，其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定，以进行直接比较。通过设计技术增强的辐射几乎消除了抗辐射功率 MOSFET 中出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁 (SEB) 的可能性。另外，通过大量的 SEE 测试，性能的稳健性得到了验证。

抗辐射测试方法-功率 MOSFET
超结技术

英飞凌的抗辐射功率 MOSFET 基于该公司独特的 CoolMOS™ 超结技术。这些符合 ESA 标准的器件包括屡获殊荣的 650 V 的功率 MOSFET，这是当今市场上电压最高的符合 QPL 标准的抗辐射 MOSFET。

英飞凌 IR HiRel 抗辐射 FET 中的 R9 超结技术平台在尺寸、重量和功率方面都比前几代抗辐射 MOSFET 有了明显改进，其集成了知名的栅极驱动，从而实现了卓越的性能和效率。只需简单地嵌入相同的电路设计，就能立即提高效率。在高通量卫星等系统中，使用基于 R9 的抗辐射 MOSFET 可显著降低每比特成本比。

抗辐射 N 沟道 MOSFET 的应用

英飞凌的抗辐射 N 沟道 MOSFET 专为关键任务太空电源应用而设计，使用寿命超过 15 年，例如：

  • 用于 FPGA、ASIC 和 DSP 核心轨的负载点 (PoL) 转换器
  • 同步整流
  • 有源或电路
  • 配电装置
  • 负载开关
  • 隔离式 DC-DC 变换器
  • 电机驱动
  • 电力推进
  • 热管理

对 IR HiRel 系列的抗辐射 FET 进行 DLA 质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 系列产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保在空间和国防应用的典型恶劣条件下，产品性能符合规标准。

美国国防后勤局（DLA）作为控制机构，已发布以下规范，对半导体器件和混合模块的质量一致性测试顺序进行管理：MIL-PRF-19500/MIL-STD-750、MIL-PRF-38534/MIL-STD-883 和 MIL-PRF-38535/MIL-STD-883。

其中，MIL-PRF-19500/MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。

MIL-PRF-19500 和 MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。MIL-PRF-19500 规定分立半导体的制造标准应达到 JAN、JANTX、JANTXV 或 JANS 级别（注意：MOSFET 不允许以 JAN 级别进行制造）。

HiRel 质量

英飞凌抗辐射 FET 的欧空局（ESA）质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保产品能够在军事和空间应用所工作的恶劣环境中发挥所规定的性能。

欧洲航天局（ESA）作为控制机构，已发布相关规范，用于监管分立半导体元件、气密密封和芯片（ESCC-5000）进行的质量一致性测试序列。

英飞凌 IR HiRel 密封产品适用于（1）商用产品密封，P 级，其贴合度、形状、功能与飞行零件相同，没有抗辐射或屏蔽性需求，符合 ESCC 通用规范第 5000 号中的图 F3（2）ESCC-5000 空间认证，适合飞行使用。此类器件表示为（ES）。英飞凌可提供合格的裸片版抗辐射 MOSFET。

英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌的抗辐射 MOSFET 经过测试，以验证其抗辐射能力，其保障计划基于 ESCC-5000、MIL-PRF-19500 和相关文件中概述的要求。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求，其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定，以进行直接比较。通过设计技术增强的辐射几乎消除了抗辐射功率 MOSFET 中出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁 (SEB) 的可能性。另外，通过大量的 SEE 测试，性能的稳健性得到了验证。

抗辐射测试方法-功率 MOSFET

超结技术

英飞凌的抗辐射功率 MOSFET 基于该公司独特的 CoolMOS™ 超结技术。这些符合 ESA 标准的器件包括屡获殊荣的 650 V 的功率 MOSFET，这是当今市场上电压最高的符合 QPL 标准的抗辐射 MOSFET。

英飞凌 IR HiRel 抗辐射 FET 中的 R9 超结技术平台在尺寸、重量和功率方面都比前几代抗辐射 MOSFET 有了明显改进，其集成了知名的栅极驱动，从而实现了卓越的性能和效率。只需简单地嵌入相同的电路设计，就能立即提高效率。在高通量卫星等系统中，使用基于 R9 的抗辐射 MOSFET 可显著降低每比特成本比。

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