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抗辐射功率 MOSFET 双管

通过 DLA 认证,兼容 CMOS 和 TTL 电平,专为在太空空间和辐射环境中的电源设备而设计

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概述

英飞凌的IR Hirel 抗辐射 MOSFET 双管为 CMOS 和 TTL 控制电路提供了一种简单的接口方式,可为太空空间和其他辐射环境中的设备供电。密封封装的 FET 可直接与大多数逻辑门、线性集成电路、微控制器以及其他 3.3 - 5 V 供电的器件配合使用。它们可用于增加 PWM、电压比较器、或带逻辑电平驱动信号的运算放大器的输出电流。

关键特性

  • 可承受单粒子效应 (SEE)
  • 低 RDS(on)
  • 兼容 CMOS 和 TTL
  • 快速开关

产品

关于

英飞凌的抗辐射 MOSFET 经过测试,以验证其抗辐射能力,其保障计划基于 ESCC-5000、MIL-PRF-19500 和相关文件中概述的要求。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求,其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定,以进行直接比较。通过设计技术增强的辐射几乎消除了抗辐射功率 MOSFET 中出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁 (SEB) 的可能性。另外,通过大量的 SEE 测试,性能的稳健性得到了验证。

与标准商用产品不同,HiRel 系列产品必须经过不同级别的质量一致性测试,以确保在空间和国防应用的典型恶劣条件下,产品性能符合标准。

美国国防后勤局(DLA)作为控制机构,已发布以下规范,对半导体器件和混合模块的质量一致性测试顺序进行管理:MIL-PRF-19500/MIL-STD-750、MIL-PRF-38534/MIL-STD-883 和 MIL-PRF-38535/MIL-STD-883。

其中,MIL-PRF-19500/MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体器件的控制规范。

MIL-PRF-19500 和 MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体器件的控制规范。MIL-PRF-19500 规定分立半导体的制造标准应达到 JAN、JANTX、JANTXV 或 JANS 级别(注意:MOSFET 不允许以 JAN 级别进行制造)。

英飞凌在航天工业服务方面有着悠久的历史。我们了解行业工程设计和制造要求,以及在极热、机械和辐射环境中设计出性能可靠的产品所面临的挑战。几十年来,我们的抗辐射功率解决方案得到了客户的认可,助力了成千上万个空间、航天和国家安全项目中关键性的任务。很多航天器至今仍在飞行。

英飞凌的抗辐射 MOSFET 经过测试,以验证其抗辐射能力,其保障计划基于 ESCC-5000、MIL-PRF-19500 和相关文件中概述的要求。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求,其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定,以进行直接比较。通过设计技术增强的辐射几乎消除了抗辐射功率 MOSFET 中出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁 (SEB) 的可能性。另外,通过大量的 SEE 测试,性能的稳健性得到了验证。

与标准商用产品不同,HiRel 系列产品必须经过不同级别的质量一致性测试,以确保在空间和国防应用的典型恶劣条件下,产品性能符合标准。

美国国防后勤局(DLA)作为控制机构,已发布以下规范,对半导体器件和混合模块的质量一致性测试顺序进行管理:MIL-PRF-19500/MIL-STD-750、MIL-PRF-38534/MIL-STD-883 和 MIL-PRF-38535/MIL-STD-883。

其中,MIL-PRF-19500/MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体器件的控制规范。

MIL-PRF-19500 和 MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体器件的控制规范。MIL-PRF-19500 规定分立半导体的制造标准应达到 JAN、JANTX、JANTXV 或 JANS 级别(注意:MOSFET 不允许以 JAN 级别进行制造)。

英飞凌在航天工业服务方面有着悠久的历史。我们了解行业工程设计和制造要求,以及在极热、机械和辐射环境中设计出性能可靠的产品所面临的挑战。几十年来,我们的抗辐射功率解决方案得到了客户的认可,助力了成千上万个空间、航天和国家安全项目中关键性的任务。很多航天器至今仍在飞行。

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