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P 沟道抗辐射功率 MOSFET

高性能 IR HiRel 解决方案为空间应用提供符合 DLA 认证的高效电源管理，电压范围为 -30 V 至 -200 V

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概述

英飞凌的 IR HiRel P 沟道抗辐射功率 MOSFET 经筛选符合 MIL-PRF-19500 的标准，可提供 QPL 认证版。有多种密封封装可供选择。 最新一代的超结 R9 抗辐射 P 沟道 MOSFET 为稳健的安全工作区（SOA）性能树立了新的基准，扩大了直流 SOA 的范围。

关键特性

  • 可承受单粒子事件效应（SEE）
  • 改进的 SOA
  • 低 RDS(on)
  • 驱动要求简单

产品

关于

抗辐射 P 沟道 MOSFET 空间应用

英飞凌屡获殊荣的抗辐射 P 沟道 MOSFET 非常适合使用寿命超过 15 年的空间电源应用，例如：

  • 空间DC-DC转换器
  • 电机驱动
  • 浪涌电流保护
  • 固态电源控制器
  • 热管理
  • 有源或电路
  • 冗余配电
  • 负载开关
  • 电池充电
  • 电池管理系统
对 IR HiRel 系列的抗辐射 FET 进行 DLA 质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 系列产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保在空间和国防应用的典型恶劣条件下，产品性能符合规标准。

美国国防后勤局（DLA）作为控制机构，已发布以下规范，对半导体器件和混合模块的质量一致性测试顺序进行管理：MIL-PRF-19500/MIL-STD-750、MIL-PRF-38534/MIL-STD-883 和 MIL-PRF-38535/MIL-STD-883。

其中，MIL-PRF-19500/MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。

MIL-PRF-19500 和 MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。MIL-PRF-19500 规定分立半导体的制造标准应达到 JAN、JANTX、JANTXV 或 JANS 级别（注意：MOSFET 不允许以 JAN 级别进行制造）。

MIL-PRF-19500
用抗辐射 P 沟道 MOSFET 简化 PMAD 设计

典型的卫星架构需要混合使用功率 FET，N 沟道和 P 沟道的比例分别约为 60% 和 40%。最新一代抗辐射 P 沟道 MOSFET 具有更强的 SOA 能力，可在负载排序、负载开关、浪涌电流限制和电源、以及负载冗余等应用中提供更高的电流能力、输出更高的功率。系统设计师现在可以采用更小的封装、减少并联器件数量，从而节省电路板空间和重量。

用 R9 技术实现更简单的设计、更高的可靠性
英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌的抗辐射 MOSFET 经过测试，以验证其抗辐射能力，其保障计划基于 ESCC-5000、MIL-PRF-19500 和相关文件中概述的要求。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求，其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定，以进行直接比较。通过设计技术增强的辐射几乎消除了抗辐射功率 MOSFET 中出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁 (SEB) 的可能性。另外，通过大量的 SEE 测试，性能的稳健性得到了验证。

抗辐射测试方法-功率 MOSFET

抗辐射 P 沟道 MOSFET 空间应用

英飞凌屡获殊荣的抗辐射 P 沟道 MOSFET 非常适合使用寿命超过 15 年的空间电源应用，例如：

  • 空间DC-DC转换器
  • 电机驱动
  • 浪涌电流保护
  • 固态电源控制器
  • 热管理
  • 有源或电路
  • 冗余配电
  • 负载开关
  • 电池充电
  • 电池管理系统

对 IR HiRel 系列的抗辐射 FET 进行 DLA 质量一致性测试

与标准商用产品不同，HiRel 系列产品必须经过不同级别的质量一致性测试，以确保在空间和国防应用的典型恶劣条件下，产品性能符合规标准。

美国国防后勤局（DLA）作为控制机构，已发布以下规范，对半导体器件和混合模块的质量一致性测试顺序进行管理：MIL-PRF-19500/MIL-STD-750、MIL-PRF-38534/MIL-STD-883 和 MIL-PRF-38535/MIL-STD-883。

其中，MIL-PRF-19500/MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。

MIL-PRF-19500 和 MIL-STD-750 是二极管和功率 MOSFET 等分立半导体的控制规范。MIL-PRF-19500 规定分立半导体的制造标准应达到 JAN、JANTX、JANTXV 或 JANS 级别（注意：MOSFET 不允许以 JAN 级别进行制造）。

MIL-PRF-19500

用抗辐射 P 沟道 MOSFET 简化 PMAD 设计

典型的卫星架构需要混合使用功率 FET，N 沟道和 P 沟道的比例分别约为 60% 和 40%。最新一代抗辐射 P 沟道 MOSFET 具有更强的 SOA 能力，可在负载排序、负载开关、浪涌电流限制和电源、以及负载冗余等应用中提供更高的电流能力、输出更高的功率。系统设计师现在可以采用更小的封装、减少并联器件数量，从而节省电路板空间和重量。

用 R9 技术实现更简单的设计、更高的可靠性

英飞凌抗辐射 MOSFET 的抗辐射性能保证

英飞凌的抗辐射 MOSFET 经过测试，以验证其抗辐射能力，其保障计划基于 ESCC-5000、MIL-PRF-19500 和相关文件中概述的要求。我们的 IR Hirel 品牌产品超出了标准要求，其每个制造批次采样量是所要求的两倍以上。辐照前和辐照后的性能均使用相同的驱动电路和测试条件进行测试和规定，以进行直接比较。通过设计技术增强的辐射几乎消除了抗辐射功率 MOSFET 中出现单粒子栅穿 (SEGR) 和单粒子烧毁 (SEB) 的可能性。另外，通过大量的 SEE 测试，性能的稳健性得到了验证。

抗辐射测试方法-功率 MOSFET

文档

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