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OptiMOS ™ 7 RDS(on) 优化

通过最大限度地提高系统效率和性能来释放未来的潜力

概述

英飞凌采用最新的 OptiMOS ™ 7 沟槽技术推出一流的功率 MOSFET。这款新产品保持了技术领先地位，扩展了 OptiMOS ™ 7 产品组合，最大限度地减少了系统中的能量损失，使其最适合 BMS 和低频操作 SMPS 应用。

关键特性

  • 一流的 RDS(on)
  • 针对传导性能进行了优化
  • 高脉冲电流能力
  • 行业标准 SuperSO8 5x6 封装

关于

核心优势

  • 最小化传导损耗
  • 提高能源效率
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 消除或减少 BMS 应用中散热器
  • 降低 BOM 成本

可用软件包

  • 硫酸亚铁

核心优势

  • 最小化传导损耗
  • 提高能源效率
  • 更紧凑、更简单的设计
  • 消除或减少 BMS 应用中散热器
  • 降低 BOM 成本

可用软件包

  • 硫酸亚铁

文档

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