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OptiMOS™ 7

推出全新 OptiMOS ™ 7 应用优化功率 MOSFET

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关于

体验英飞凌全新OptiMOS™系列的下一代电源效率和性能。

OptiMOS™ 7 系列专为满足特定应用的需求而设计,为功率 MOSFET 技术树立了新标准。

专为满足未来数据中心、服务器和电信应用的需求而设计 - 彻底改变电源管理。

  • 针对硬开关和软开关转换器拓扑的应用特定优化
  • R DS(on)改善高达 20%
  • 与之前的OptiMOS™ 5/6 技术相比,FOM 提高了 25%

终极电机驱动解决方案,用于驱动器、电动工具和园艺应用中的高效电力转换。

  • 安全操作区 (SOA) 提升高达 3 倍
  • 跨导提高高达 -70%
  • 与之前的OptiMOS™ 6 技术相比,传导损耗改善高达 20%

采用超低RDS(on)设计,适用于 BMS、12 V SMPS 和其他慢速开关应用:

  • 与之前的OptiMOS™ 6 技术相比,R DS(on) 提高了高达 40%
  • 针对传导性能进行了优化
  • 高脉冲电流能力

• SuperSO8

• SuperSO8 双面冷却

• PQFN 3.3x3.3

• PQFN 3.3x3.3源极向下

• PQFN 3.3x3.3SD 中心门

• PQFN 3.3x3.3SD 中心浇口双面冷却

• PQFN 3.3x3.3光源向下 DSC

• PQFN 2x2

体验英飞凌全新OptiMOS™系列的下一代电源效率和性能。

OptiMOS™ 7 系列专为满足特定应用的需求而设计,为功率 MOSFET 技术树立了新标准。

专为满足未来数据中心、服务器和电信应用的需求而设计 - 彻底改变电源管理。

  • 针对硬开关和软开关转换器拓扑的应用特定优化
  • R DS(on)改善高达 20%
  • 与之前的OptiMOS™ 5/6 技术相比,FOM 提高了 25%

终极电机驱动解决方案,用于驱动器、电动工具和园艺应用中的高效电力转换。

  • 安全操作区 (SOA) 提升高达 3 倍
  • 跨导提高高达 -70%
  • 与之前的OptiMOS™ 6 技术相比,传导损耗改善高达 20%

采用超低RDS(on)设计,适用于 BMS、12 V SMPS 和其他慢速开关应用:

  • 与之前的OptiMOS™ 6 技术相比,R DS(on) 提高了高达 40%
  • 针对传导性能进行了优化
  • 高脉冲电流能力

• SuperSO8

• SuperSO8 双面冷却

• PQFN 3.3x3.3

• PQFN 3.3x3.3源极向下

• PQFN 3.3x3.3SD 中心门

• PQFN 3.3x3.3SD 中心浇口双面冷却

• PQFN 3.3x3.3光源向下 DSC

• PQFN 2x2

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