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OptiMOS ™ 7 电机驱动器优化

根据您的需求量身定制：全新 OptiMOS ™ 7 开关优化功率 MOSFET，适用于硬开关和软开关应用

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概述

英飞凌的 OptiMOS ™ 7 技术提供了前所未有的应用优化水平，使数据中心、人工智能和电信领域达到最佳性能。该产品组合包括针对硬开关和软开关拓扑优化的产品。这种方法可以最大限度地提高每个特定拓扑的性能，减少功率损耗，从而提高整体效率和功率密度。

关键特性

  • 针对特定应用的优化
  • 硬开关和软开关优化的 MOSFET
  • 硬开关：米勒比、FOM、RDS(on)10
  • 软开关：RDS(on)45，FOMg
  • +175°C 结温额定值
  • 源极向下封装变体
  • 可提供中心栅极尺寸
  • 双面冷却和包覆成型

Products

关于

OptiMOS™ 7 电机驱动优化 MOSFET 的主要优势

  • 提高效率和卓越性能，减少功率损耗
  • 提高恶劣条件下的稳健性
  • 改进的脉冲电流处理
  • 提高对短路事件的免疫力
  • 提高对寄生开启事件的免疫力
  • 固有短路电流限制
  • 改进的斜率控制/更好的 EMI 行为和易用性

封装选项

经过优化的OptiMOS™ 7 电机驱动器提供以下封装，以满足您的设计要求：

  • SuperSO8
  • PQFN 3.3x3.3

SOA 宽度是其三倍

SOA 是电机驱动应用中 MOSFET 的一个关键属性。数据表中的 SOA 图定义了 MOSFET 允许的最大电流-电压范围。

在电机驱动应用中，更宽的 SOA 可提供更高的电流能力和更好的可靠性，尤其是在转子锁定和短路情况下。事实证明， OptiMOS™ 7 电机驱动优化 MOSFET 系列的 SOA 比同电压等级的上一代 MOSFET 系列宽 3 倍。

OptiMOS™ 7 提供更高的免疫力

MOSFET 栅极上的感应电压值（感应 V GS ）是电机驱动应用中误导通的一个关键因素。在高端导通瞬态期间，低端 MOSFET 的 V DS从 0 V 上升至 BUS 电压。V DS的快速增加导致电流流过 C GD (I CGD )。流过 R G和 V GS 的电流 I CGD将随之增加，从而导致误导通。

具有较高阈值电压 (V GS (th) ) 的 MOSFET 对感应 V GS具有更高的免疫力。

7 电机驱动优化 MOSFET 的阈值电压 (V GS(th) ) 为 2.8 V（典型值），高于OptiMOS™OptiMOS™ 6 MOSFET。

OptiMOS™ 7 电机驱动优化 MOSFET 的主要优势

  • 提高效率和卓越性能，减少功率损耗
  • 提高恶劣条件下的稳健性
  • 改进的脉冲电流处理
  • 提高对短路事件的免疫力
  • 提高对寄生开启事件的免疫力
  • 固有短路电流限制
  • 改进的斜率控制/更好的 EMI 行为和易用性

封装选项

经过优化的OptiMOS™ 7 电机驱动器提供以下封装，以满足您的设计要求：

  • SuperSO8
  • PQFN 3.3x3.3

SOA 宽度是其三倍

SOA 是电机驱动应用中 MOSFET 的一个关键属性。数据表中的 SOA 图定义了 MOSFET 允许的最大电流-电压范围。

在电机驱动应用中，更宽的 SOA 可提供更高的电流能力和更好的可靠性，尤其是在转子锁定和短路情况下。事实证明， OptiMOS™ 7 电机驱动优化 MOSFET 系列的 SOA 比同电压等级的上一代 MOSFET 系列宽 3 倍。

OptiMOS™ 7 提供更高的免疫力

MOSFET 栅极上的感应电压值（感应 V GS ）是电机驱动应用中误导通的一个关键因素。在高端导通瞬态期间，低端 MOSFET 的 V DS从 0 V 上升至 BUS 电压。V DS的快速增加导致电流流过 C GD (I CGD )。流过 R G和 V GS 的电流 I CGD将随之增加，从而导致误导通。

具有较高阈值电压 (V GS (th) ) 的 MOSFET 对感应 V GS具有更高的免疫力。

7 电机驱动优化 MOSFET 的阈值电压 (V GS(th) ) 为 2.8 V（典型值），高于OptiMOS™OptiMOS™ 6 MOSFET。

文档

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