OptiMOS™ 7 开关优化

根据您的需求量身定制：全新OptiMOS™ 7 开关优化功率 MOSFET，适用于硬开关和软开关应用

anchor

概述

英飞凌的 OptiMOS ™ 7 技术提供了前所未有的应用优化水平，使数据中心、人工智能和电信领域达到最佳性能。该产品组合包括针对硬开关和软开关拓扑优化的产品。这种方法可以最大限度地提高每个特定拓扑的性能，减少功率损耗，从而提高整体效率和功率密度。

关键特性

  • 针对特定应用的优化
  • 硬开关和软开关优化的 MOSFET
  • 硬开关：米勒比、FOM、RDS(on)10
  • 软开关：RDS(on)45，FOMg
  • +175°C 结温额定值
  • 源极向下封装变体
  • 可提供中心栅极尺寸
  • 双面冷却和包覆成型

产品

关于

主要特点和优势

针对硬开关和软开关拓扑的应用特定优化：

  • 硬开关优化，具有出色的米勒比、优异的 R DS(on)10和 FOM QG10
  • 采用超低 RDS (on)45和改进的 FOM QG45进行软开关优化
  • 采用源极朝下的封装，具有出色的散热性能，额定结温高达 +175°C

硬开关优化

硬开关优化，重点关注米勒比、优异的 R DS(on)10和 FOM QG10 ：

  • 出色的米勒比 Q gd /Q gs可实现先进的感应导通耐用性和对快速上升电压瞬变 dV DS /dt 的免疫力，从而减少开关损耗并提高耐用性
  • 优化的 FOM Qoss和 FOM Qg10与 R DS(on)10改进实现良好平衡，以减少驱动器损耗
  • ±16V 扩展栅极电压额定值，可实现栅极电压过驱动，从而实现栅极电容的快速充电和放电

软开关优化

采用超低 R DS(on)45和改进的 FOM QG45进行软开关优化：

  • 超低 R DS(on)45可降低传导损耗并提高输出功率额定值
  • 降低阈值电压，从而降低驱动电压，以简化栅极驱动，提高效率
获取应用程序说明： OptiMOS™ 7 25 V 优化

可用软件包

OptiMOS™ 7 开关优化功率 MOSFET 提供以下封装，具体取决于电压等级：

  • PQFN 3.3x3.3源极-下中心门
  • PQFN 3.3x3.3源极朝下，中心栅极，双面冷却
  • PQFN 2.0x2.0

主要特点和优势

针对硬开关和软开关拓扑的应用特定优化：

  • 硬开关优化，具有出色的米勒比、优异的 R DS(on)10和 FOM QG10
  • 采用超低 RDS (on)45和改进的 FOM QG45进行软开关优化
  • 采用源极朝下的封装，具有出色的散热性能，额定结温高达 +175°C

硬开关优化

硬开关优化，重点关注米勒比、优异的 R DS(on)10和 FOM QG10 ：

  • 出色的米勒比 Q gd /Q gs可实现先进的感应导通耐用性和对快速上升电压瞬变 dV DS /dt 的免疫力，从而减少开关损耗并提高耐用性
  • 优化的 FOM Qoss和 FOM Qg10与 R DS(on)10改进实现良好平衡，以减少驱动器损耗
  • ±16V 扩展栅极电压额定值，可实现栅极电压过驱动，从而实现栅极电容的快速充电和放电

软开关优化

采用超低 R DS(on)45和改进的 FOM QG45进行软开关优化：

  • 超低 R DS(on)45可降低传导损耗并提高输出功率额定值
  • 降低阈值电压，从而降低驱动电压，以简化栅极驱动，提高效率
获取应用程序说明： OptiMOS™ 7 25 V 优化

可用软件包

OptiMOS™ 7 开关优化功率 MOSFET 提供以下封装，具体取决于电压等级：

  • PQFN 3.3x3.3源极-下中心门
  • PQFN 3.3x3.3源极朝下，中心栅极，双面冷却
  • PQFN 2.0x2.0

文档

文档

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }