OptiMOS™ 6 80 V

OptiMOS™ 6 80 V - 最新的功率 MOSFET 技术，为高功率密度设计设定了新的行业标准

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概述

OptiMOS™ 6 80 V——最新的功率MOSFET技术，以卓越的性能树立行业新标杆，提供丰富的产品组合，包括PQFN 3.3x3.3、SuperSO8、PQFN 5x6双面散热以及PQFN 3.3x3.3 Source-Down封装。OptiMOS™ 6 80 V系列非常适合用于电信、服务器和太阳能等高开关频率应用领域。OptiMOS™ 6 80 V的性能提升还为电池管理系统 (BMS) 带来了显著优势。

关键特性

  • 相较于OptiMOS™ 5在SSO8封装中，RDS(on)降低超过24%
  • 相较于现有的PQFN 3x3封装产品，RDS(on)降低超过28%
  • 行业标准封装组合
  • 标准门极驱动电平
  • 提升的功率性能、SOA（安全工作区）和雪崩电流能力
  • 最高工作温度可达175°C
  • 通过工业级认证

产品

关于

如何选择合适的MOSFET

OptiMOS™ 6 80 V 是最新的功率 MOSFET 技术，与OptiMOS™ 5 和OptiMOS™ 3 一起完善了英飞凌工业产品组合。

如果您正在寻找高性能应用、业界最佳品质因数以及高效率和高功率密度，这些技术是完美的选择。

漏源电阻RDS(on)

R DS(on)是 MOSFET 的关键参数之一，表示在漏极和源极端子之间测得的导通电阻。

较低的 R DS(on)值产生以下结果：

  • 减少传导损耗
  • 减少或避免零件并联，节省成本和 PCB 空间，从而提高功率密度！

SuperSO8 封装的OptiMOS™ 6 80 V 可实现：

  • 与OptiMOS™ 5 相比，导通电阻降低 24%

新型OptiMOS™ 6 80 V 产品中的低 R DS(on)值可实现以下效果：

  • 提高功率密度
  • 与次优方案相比，传导损耗减少约 20%

 

OptiMOS™ 6 80 V 采用 PQFN 3.3x3.3 包实现：

  • 与OptiMOS™ 5 相比，导通电阻降低 29%

 

新型OptiMOS™ 6 80 V 产品中的低 R DS(on)值可实现以下效果：

  • 提高功率密度
  • 与OptiMOS™ 5 相比，传导损耗减少约 30%
总栅极电荷（Qg）

总栅极电荷 (Q g ) 是在某些特定条件下需要提供给栅极以打开（驱动） MOSFET 的电荷量。在高开关频率应用中，较小的 Q g值是十分必要的，因为它直接影响驱动损耗。

栅极至漏极电荷 Q gd表示与米勒平台延伸相关的栅极电荷部分，是完成漏极电压转换所必需的。对于相同的驱动电路，较低的Q gd意味着更快的电压瞬变，从而降低开关损耗。这对于高开关频率、硬开关 SMPS 来说至关重要，因为开关损耗在其中起着重要作用。

与类似的 R DS(on)产品相比， OptiMOS™ 6 80 V 的 Q g和 Q gd较OptiMOS™ 5 提高了约 40%。

品质因数（FOM）

MOSFET“品质因数”（FOM）是考虑传导和开关损耗的技术性能指标。FOM 计算为导通电阻（R DS(on) ）乘以总栅极电荷（Q g ），通常以 mΩ x nC 表示。

安全操作区（SOA）

SOA 是由电压和电流条件定义的图表，在该条件下 MOSFET 可以运行而不会导致永久性损坏或性能下降。

通过对同类最佳OptiMOS™ 5 (1.9 mΩ) 和OptiMOS™ 6 (1.5 mΩ) SuperSO8 产品的 SOA 进行比较，可以发现 80 V 的新技术在线性工作区域内显示出显著的改善。

如何选择合适的MOSFET

OptiMOS™ 6 80 V 是最新的功率 MOSFET 技术，与OptiMOS™ 5 和OptiMOS™ 3 一起完善了英飞凌工业产品组合。

如果您正在寻找高性能应用、业界最佳品质因数以及高效率和高功率密度，这些技术是完美的选择。

漏源电阻RDS(on)

R DS(on)是 MOSFET 的关键参数之一，表示在漏极和源极端子之间测得的导通电阻。

较低的 R DS(on)值产生以下结果：

  • 减少传导损耗
  • 减少或避免零件并联，节省成本和 PCB 空间，从而提高功率密度！

SuperSO8 封装的OptiMOS™ 6 80 V 可实现：

  • 与OptiMOS™ 5 相比，导通电阻降低 24%

新型OptiMOS™ 6 80 V 产品中的低 R DS(on)值可实现以下效果：

  • 提高功率密度
  • 与次优方案相比，传导损耗减少约 20%

 

OptiMOS™ 6 80 V 采用 PQFN 3.3x3.3 包实现：

  • 与OptiMOS™ 5 相比，导通电阻降低 29%

 

新型OptiMOS™ 6 80 V 产品中的低 R DS(on)值可实现以下效果：

  • 提高功率密度
  • 与OptiMOS™ 5 相比，传导损耗减少约 30%

总栅极电荷（Qg）

总栅极电荷 (Q g ) 是在某些特定条件下需要提供给栅极以打开（驱动） MOSFET 的电荷量。在高开关频率应用中，较小的 Q g值是十分必要的，因为它直接影响驱动损耗。

栅极至漏极电荷 Q gd表示与米勒平台延伸相关的栅极电荷部分，是完成漏极电压转换所必需的。对于相同的驱动电路，较低的Q gd意味着更快的电压瞬变，从而降低开关损耗。这对于高开关频率、硬开关 SMPS 来说至关重要，因为开关损耗在其中起着重要作用。

与类似的 R DS(on)产品相比， OptiMOS™ 6 80 V 的 Q g和 Q gd较OptiMOS™ 5 提高了约 40%。

品质因数（FOM）

MOSFET“品质因数”（FOM）是考虑传导和开关损耗的技术性能指标。FOM 计算为导通电阻（R DS(on) ）乘以总栅极电荷（Q g ），通常以 mΩ x nC 表示。

安全操作区（SOA）

SOA 是由电压和电流条件定义的图表，在该条件下 MOSFET 可以运行而不会导致永久性损坏或性能下降。

通过对同类最佳OptiMOS™ 5 (1.9 mΩ) 和OptiMOS™ 6 (1.5 mΩ) SuperSO8 产品的 SOA 进行比较，可以发现 80 V 的新技术在线性工作区域内显示出显著的改善。

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