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OptiMOS™ 6 120 V 

全面优化的 120 V 功率MOSFET，具有一流的性能，并拥有多种封装

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概述

英飞凌 120 V OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列对于高频和低频的软、硬开关应用都适用，并可选标准电平和逻辑电平驱动。 这些产品有广泛的应用，如工业功率电源、太阳能、功率充电器、低压驱动器以及电动工具等。

关键特性

  • 业界 120 V 耐压器件最低的 RDS(on)
  • 效率最高
  • 高功率密度
  • 系统可靠性高
  • 多种封装可选

产品

关于

120 V OptiMOS™ 6 优势

新型OptiMOS™ 6 MOSFET 120 V 在广泛的应用范围内显示出优势，这得益于关键参数的显著改善，例如 R DS(on)降低 52%、品质因数 (FOM) 降低 64% 以及反向恢复电荷 (Q rr ) 降低 49%。 该系列为各种应用提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳平衡。OptiMOS™ 6 MOSFET 120 V 具有工业资格，最高结温为 175°C，具有出色的功率处理能力和坚固性。

120 V OptiMOS™ 6 产品系列

120 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 产品系列拥有多种通孔和 SMD 封装。其中包括 PQFN 3.3x3.3, SuperSO8 5x6，无引脚 TO-Leadless (TOLL) 和 TO-Leaded 顶部散热（TOLT），更多封装即将推出。 这就将最好的芯片技术与高度可靠的英飞凌封装相结合。

120 V OptiMOS™ 6 在 USB PD 应用中

新型OptiMOS™ 6 120 V 功率 MOSFET 技术有正常电平和逻辑电平两种，可满足高开关频率和低开关频率下的硬开关和软开关应用。 除了同步整流（SR）应用外，它还适用于工业电源、太阳能、电源充电器（USB PD）、低压驱动器和电动工具等应用。

欲了解更多信息，请参阅下面链接的应用说明：“新型OptiMOS™ 6 120 V 支持 3.3 V 至 48 V 的 USB-PD EPR 设计”。

120 V OptiMOS™ 6 优势

新型OptiMOS™ 6 MOSFET 120 V 在广泛的应用范围内显示出优势，这得益于关键参数的显著改善，例如 R DS(on)降低 52%、品质因数 (FOM) 降低 64% 以及反向恢复电荷 (Q rr ) 降低 49%。 该系列为各种应用提供了开关损耗和传导损耗之间的最佳平衡。OptiMOS™ 6 MOSFET 120 V 具有工业资格，最高结温为 175°C，具有出色的功率处理能力和坚固性。

120 V OptiMOS™ 6 产品系列

120 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 产品系列拥有多种通孔和 SMD 封装。其中包括 PQFN 3.3x3.3, SuperSO8 5x6，无引脚 TO-Leadless (TOLL) 和 TO-Leaded 顶部散热（TOLT），更多封装即将推出。 这就将最好的芯片技术与高度可靠的英飞凌封装相结合。

120 V OptiMOS™ 6 在 USB PD 应用中

新型OptiMOS™ 6 120 V 功率 MOSFET 技术有正常电平和逻辑电平两种，可满足高开关频率和低开关频率下的硬开关和软开关应用。 除了同步整流（SR）应用外，它还适用于工业电源、太阳能、电源充电器（USB PD）、低压驱动器和电动工具等应用。

欲了解更多信息，请参阅下面链接的应用说明：“新型OptiMOS™ 6 120 V 支持 3.3 V 至 48 V 的 USB-PD EPR 设计”。

文档

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