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IR MOSFET 产品系列

IR MOSFET 产品系列支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明以及负载开关等。

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概述

IR MOSFET 系列产品采用成熟的硅工艺，为设计人员提供了丰富的器件组合，以支持各种应用，例如直流电机、逆变器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用等。这些器件拥有各种表贴封装装和通孔封装产品，都是行业标准封装，便于设计。

关键特性

  • 丰富的产品组合
  • 支持各种应用
  • 针对广泛的应用进行了优化
  • 多供应商兼容性
  • 产品符合 JEDEC 标准
  • 标准驱动和逻辑电平驱动
  • 灵活的栅极驱动

产品

关于

IR MOSFET 产品组合

英飞凌的 IR 平面技术 MOSFET 产品是对其成功的沟槽式StrongIRFET™和OptiMOS™技术的补充，其拥有一系列为宽范围安全工作区（SOA）和线性模式应用量身定制的30 V-100 V的器件。

典型应用包括以太网+ (PoE+)、LED 电源、直流风扇、工业 SMPS、UPS 和伺服电机等。

现代沟槽 MOSFET 力求最低的 RDS (on)、Qg 和 Qgd 以满足当今的高速开关应用，而平面器件则牺牲了芯片尺寸和 RDS (on) 以实现高载流能力和宽范围的SOA。

灵活的集成和设计，使用了行业标准尺寸

IR MOSFET 系列器件有多种标准封装可供选择，从而实现了设计选型的灵活性。 可用的封装包括表面贴装封装：

  • 磷酸二氢钾
  • 聚酰胺酸二钾
  • D2PAK-7pin
  • DirectFET™
  • SO8
  • SuperSO8 5x6
  • PQFN 3.3x3.3
  • SOT-223


可用的通孔封装包括：

  • 知识产权保护协会
  • 伊帕克
  • TO-220
  • TO-220FP
  • TO-247

还有 TSOP-6、Micro-8 和 SOT23 等小尺寸封装可供选择。

非常适合宽范围 SOA 和线性模式应用

现代沟槽 MOSFET 力求最低的 RDS (on)、Qg 和 Qgd 以满足当今的高频开关应用，而平面器件则牺牲了芯片尺寸和 RDS (on) 以实现高载流能力和宽范围 SOA。 IR MOSFET 技术系列采用了平面技术，非常适合在设计中需要小尺寸、宽范围 SOA 和高电流能力的客户。

IR MOSFET 产品组合

英飞凌的 IR 平面技术 MOSFET 产品是对其成功的沟槽式StrongIRFET™和OptiMOS™技术的补充，其拥有一系列为宽范围安全工作区（SOA）和线性模式应用量身定制的30 V-100 V的器件。

典型应用包括以太网+ (PoE+)、LED 电源、直流风扇、工业 SMPS、UPS 和伺服电机等。

现代沟槽 MOSFET 力求最低的 RDS (on)、Qg 和 Qgd 以满足当今的高速开关应用，而平面器件则牺牲了芯片尺寸和 RDS (on) 以实现高载流能力和宽范围的SOA。

灵活的集成和设计，使用了行业标准尺寸

IR MOSFET 系列器件有多种标准封装可供选择，从而实现了设计选型的灵活性。 可用的封装包括表面贴装封装：

  • 磷酸二氢钾
  • 聚酰胺酸二钾
  • D2PAK-7pin
  • DirectFET™
  • SO8
  • SuperSO8 5x6
  • PQFN 3.3x3.3
  • SOT-223


可用的通孔封装包括：

  • 知识产权保护协会
  • 伊帕克
  • TO-220
  • TO-220FP
  • TO-247

还有 TSOP-6、Micro-8 和 SOT23 等小尺寸封装可供选择。

非常适合宽范围 SOA 和线性模式应用

现代沟槽 MOSFET 力求最低的 RDS (on)、Qg 和 Qgd 以满足当今的高频开关应用，而平面器件则牺牲了芯片尺寸和 RDS (on) 以实现高载流能力和宽范围 SOA。 IR MOSFET 技术系列采用了平面技术，非常适合在设计中需要小尺寸、宽范围 SOA 和高电流能力的客户。

文档

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设计资源

开发者社区

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