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OptiMOS™ 6 200 V

最新的功率 MOSFET 技术为 200 V 的应用设定了新的行业标准

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概述

英飞凌最新的 200 V OptiMOS™ 6 MOSFET 技术采用了专有的新型针状沟槽技术，可实现更高的功率密度、效率和坚固性。与最新的 OptiMOS™ 3 相比，OptiMOS™ 6 更具显著的性能优势。

关键特性

  • RDS(on) 比上一代降低了 42%
  • Qrr 比上一代降低了 45%
  • QOSS 比上一代降低了 42%
  • 提高电容的线性度
  • 改善动态电流均流
  • 严格的参数分布
  • 基于 J-STD-020 的 MSL 1 分类

产品

关于

OptiMOS™ 6 200 V 技术

新型 OptiMOS™ 6 200 V 采用英飞凌最先进的针槽 MOSFET 技术，其通过提供高功率密度、高效率和高可靠性，满足了人们对高功率密度、高效率和高可靠性的需求：  

  • 与上一代产品相比，室温下的 RDS(on)降低了 42%，175°C 时降低可达 53%
  • 由于降低了Qrr、Qoss 和电容线性度，开关性能得到改善。
  • 实际上，在不影响 EMI 的情况下，传导和开关损耗均可降低 
  • 该技术改进了 SOA，提高了保护开关应用中的 MOSFET 电流处理能力，同时优化了设计和生产精度，使可靠的高性能技术成为并联的理想选择。
多种封装可选，满足您的设计要求

英飞凌的 OptiMOS™ 6 200 V 功率 MOSFET 采用多种封装，可满足您的设计要求：

  • TOLL
  • TO-220
  • D2PAK-3pin
  • D2PAK-7pin
  • SuperSO8
  • PQFN 3.3x3.3
OptiMOS™ 6 200 V 应用

OptiMOS™ 6 200 V 针槽技术专为电动滑板车、mirco-evs、电动叉车等要求最佳性能的电机驱动应用而设计。由于其  RDS(on) 和温度漂移均有所改进，因此在相同的基底面上可以推动更多的功率。这不仅可以较好地减少并联 MOSFET 数量，而且与 OptiMOS™ 3 相比，Vgs(th) 的参数范围减少了 25%，从而改善了电流分担，并降低了跨导率。

此外，与 OptiMOS™ 3 相比，新型 OptiMOS™ 6 200 V 的Qrr 和 Qoss 降低了 42%，从而改善了开关性能，是服务器、电信或太阳能等任何类型 SMPS 应用的理想选择。改进后的器件 EMI 性能可减少设计工作量。 

最后但同样重要的是，宽 SOA 和低 RDS(on) 的组合使该器件成为 BMS 等静态开关应用的理想之选。 

优势

OptiMOS™ 6 200 V 针状沟槽技术具有许多优点：

  • 低导通损耗
  • 低开关损耗
  • 运行稳定，电磁干扰得到改善
  • 需要更少的并联
  • 并联时更好地分担电流 
  • 符合 RoHS 规范，无铅

OptiMOS™ 6 200 V 技术

新型 OptiMOS™ 6 200 V 采用英飞凌最先进的针槽 MOSFET 技术，其通过提供高功率密度、高效率和高可靠性，满足了人们对高功率密度、高效率和高可靠性的需求：  

  • 与上一代产品相比，室温下的 RDS(on)降低了 42%，175°C 时降低可达 53%
  • 由于降低了Qrr、Qoss 和电容线性度，开关性能得到改善。
  • 实际上，在不影响 EMI 的情况下，传导和开关损耗均可降低 
  • 该技术改进了 SOA，提高了保护开关应用中的 MOSFET 电流处理能力，同时优化了设计和生产精度，使可靠的高性能技术成为并联的理想选择。

多种封装可选，满足您的设计要求

英飞凌的 OptiMOS™ 6 200 V 功率 MOSFET 采用多种封装，可满足您的设计要求：

  • TOLL
  • TO-220
  • D2PAK-3pin
  • D2PAK-7pin
  • SuperSO8
  • PQFN 3.3x3.3

OptiMOS™ 6 200 V 应用

OptiMOS™ 6 200 V 针槽技术专为电动滑板车、mirco-evs、电动叉车等要求最佳性能的电机驱动应用而设计。由于其  RDS(on) 和温度漂移均有所改进，因此在相同的基底面上可以推动更多的功率。这不仅可以较好地减少并联 MOSFET 数量，而且与 OptiMOS™ 3 相比，Vgs(th) 的参数范围减少了 25%，从而改善了电流分担，并降低了跨导率。

此外，与 OptiMOS™ 3 相比，新型 OptiMOS™ 6 200 V 的Qrr 和 Qoss 降低了 42%，从而改善了开关性能，是服务器、电信或太阳能等任何类型 SMPS 应用的理想选择。改进后的器件 EMI 性能可减少设计工作量。 

最后但同样重要的是，宽 SOA 和低 RDS(on) 的组合使该器件成为 BMS 等静态开关应用的理想之选。 

优势

OptiMOS™ 6 200 V 针状沟槽技术具有许多优点：

  • 低导通损耗
  • 低开关损耗
  • 运行稳定，电磁干扰得到改善
  • 需要更少的并联
  • 并联时更好地分担电流 
  • 符合 RoHS 规范，无铅

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问 ", "labelEn" : "Ask the community " }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论 ", "labelEn" : "View all discussions " } ] }