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80 V/100 V OptiMOS™ 5 N 沟道功率 MOSFET

业界领先的OptiMOS™ 5 功率 MOSFET，耐压为80 V 和 100 V，适用于电信和服务器电源

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概述

Infineon 的 80 V/100 V OptiMOS™ 5 工业功率 MOSFET 被设计用于电信和服务器电源的同步整流；它们也是太阳能、低压驱动和笔记本电脑适配器等其他应用的理想选择。

关键特性

  • 同步整流优化
  • 高开关频率
  • 低输出电容
  • 低 RDS(on)

产品

关于

OptiMOS™ 5 产品系列可实现高效率和高功率密度

OptiMOS™ 5 系列功率 MOSFET 具有各种不同的封装，采用 SuperSO8 封装，具有业界最低的 2.7 mΩ 的导通电阻，可实现最高水平的功率密度和效率。

80 V/100 V OptiMOS™ 5 MOSFET 的主要优势

OptiMOS™ 5 MOSFET 可实现高系统效率、更低的开关和导通损耗、更高的功率密度以及更低的电压过冲。100 V OptiMOS™ 5 MOSFET 的电压过冲比竞争对手低 5 V。除了用于隔离式 DC-DC 变换器外，这些器件还可用于电信应用模块，包括OR-ing、热插拔和电池保护等。

产品封装组合

80 V/100 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 拥有各种表贴封装和通孔封装，满足您的不同设计需求。

该套餐包括：

  • 磷酸二氢钾
  • 聚酰胺酸二钾
  • D2PAK-7pin
  • Source-Down PQFN3.3x3.3、
  • PQFN3.3 x 3.3 源极向下
  • SuperSO8
  • 斯托尔
  • TOLL
  • TOLG
  • TOLT
  • TO-220

OptiMOS™ 5 产品系列可实现高效率和高功率密度

OptiMOS™ 5 系列功率 MOSFET 具有各种不同的封装，采用 SuperSO8 封装，具有业界最低的 2.7 mΩ 的导通电阻，可实现最高水平的功率密度和效率。

80 V/100 V OptiMOS™ 5 MOSFET 的主要优势

OptiMOS™ 5 MOSFET 可实现高系统效率、更低的开关和导通损耗、更高的功率密度以及更低的电压过冲。100 V OptiMOS™ 5 MOSFET 的电压过冲比竞争对手低 5 V。除了用于隔离式 DC-DC 变换器外，这些器件还可用于电信应用模块，包括OR-ing、热插拔和电池保护等。

产品封装组合

80 V/100 V OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 拥有各种表贴封装和通孔封装，满足您的不同设计需求。

该套餐包括：

  • 磷酸二氢钾
  • 聚酰胺酸二钾
  • D2PAK-7pin
  • Source-Down PQFN3.3x3.3、
  • PQFN3.3 x 3.3 源极向下
  • SuperSO8
  • 斯托尔
  • TOLL
  • TOLG
  • TOLT
  • TO-220

文档

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设计资源

开发者社区

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