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OptiMOS™ 6 40 V 功率 MOSFET

英飞凌 OptiMOS™ 6 首个产品系列,同时拥有逻辑电平和标准电平驱动的尖端MOSFET

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概述

OptiMOS™ 6 系列 40 V 器件为分立式功率 MOSFET 设定了新技术标准。凭借 OptiMOS™ 6 40 V 逻辑电平产品系列,英飞凌为需要较低栅极驱动电压的应用提供了标杆解决方案。

产品

关于

导通电阻(RDS(on))和品质因数(FOM-RDS(on)x Qg 和 Qgd)的改进使设计人员能够提高效率,简化散热设计并减少并联,从而降低系统成本。

英飞凌市场领先的 40 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 有两种不同的封装:

  • SuperSO8 – 5x6 mm,R DS(on)范围从 5.9 mΩ 到 0.7 mΩ
  • PQFN 3x3 – 3.3x3.3mm,RDS(on) 范围 6.3 mΩ 到 1.8 mΩ

在 SMPS 应用中,OptiMOS™ 6 是在宽输出功率范围内优化效率的完美解决方案,可避免在低负载和高负载条件之间进行艰难的权衡。

在输出功率较低时,开关损耗主导着效率曲线。OptiMOS 6 功率 MOSFET 因其卓越的开关性能,与具有相同的 RDS(on) 的OptiMOS™ 5 相比可达到更高的效率。

此外,在 RDS(on) 损耗占主导地位的较高输出功率下,OptiMOS™ 6 在整个工作范围内具有更好的性能。

OptiMOS™ 6 中的标准电平功率 MOSFET 针对不必要的感应误导通进行了优化,这种情况在实际应用中经常出现,会导致功率损耗增加,在极端情况下会导致终端设备过热和故障。误导通的原因是,由于栅极到漏极(Miller)和栅极到源极之间的电容形成的电容分压器,漏极到源极的高 dV/dt 会在栅极产生电压尖峰。这可以量化为电荷比Qgd/Qgs。

对于逻辑电平器件,栅极阈值电压 (Vth) 通常低于 2 V。栅极上有感应电压尖峰时,MOSFET 将被误导通。标准电平产品系列的 Vth 越高,意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致误导通。此外,较低的 Qgd/Qgs 比率(Cgd/Cgs分压器比)会降低栅极电压尖峰的峰值,从而进一步提高了防止误导通的鲁棒性。使用标准电平器件,在高温下可以获得额外的设计余量,因为 Vth 会随着温度的升高而降低。

导通电阻(RDS(on))和品质因数(FOM-RDS(on)x Qg 和 Qgd)的改进使设计人员能够提高效率,简化散热设计并减少并联,从而降低系统成本。

英飞凌市场领先的 40 V OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 有两种不同的封装:

  • SuperSO8 – 5x6 mm,R DS(on)范围从 5.9 mΩ 到 0.7 mΩ
  • PQFN 3x3 – 3.3x3.3mm,RDS(on) 范围 6.3 mΩ 到 1.8 mΩ

在 SMPS 应用中,OptiMOS™ 6 是在宽输出功率范围内优化效率的完美解决方案,可避免在低负载和高负载条件之间进行艰难的权衡。

在输出功率较低时,开关损耗主导着效率曲线。OptiMOS 6 功率 MOSFET 因其卓越的开关性能,与具有相同的 RDS(on) 的OptiMOS™ 5 相比可达到更高的效率。

此外,在 RDS(on) 损耗占主导地位的较高输出功率下,OptiMOS™ 6 在整个工作范围内具有更好的性能。

OptiMOS™ 6 中的标准电平功率 MOSFET 针对不必要的感应误导通进行了优化,这种情况在实际应用中经常出现,会导致功率损耗增加,在极端情况下会导致终端设备过热和故障。误导通的原因是,由于栅极到漏极(Miller)和栅极到源极之间的电容形成的电容分压器,漏极到源极的高 dV/dt 会在栅极产生电压尖峰。这可以量化为电荷比Qgd/Qgs。

对于逻辑电平器件,栅极阈值电压 (Vth) 通常低于 2 V。栅极上有感应电压尖峰时,MOSFET 将被误导通。标准电平产品系列的 Vth 越高,意味着只有较大的栅极电压尖峰才会导致误导通。此外,较低的 Qgd/Qgs 比率(Cgd/Cgs分压器比)会降低栅极电压尖峰的峰值,从而进一步提高了防止误导通的鲁棒性。使用标准电平器件,在高温下可以获得额外的设计余量,因为 Vth 会随着温度的升高而降低。

文档

设计资源

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