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概述

英飞凌 750 V CoolSiC™碳化硅 MOSFET 分立器件具有一流的寄生导通稳定性和成熟的栅极氧化技术，可在图腾柱、ANPC、维也纳整流器和 FCC 等硬开关拓扑中实现卓越的性能。 此外，G2 中输出电容 (Coss) 的大幅降低使其能够在软开关拓扑（例如循环变频器、CLLC、DAB 和 LLC）中以更高的开关频率运行。它非常适合对可靠性、功率密度和效率有严格要求的应用，例如车载充电器、DC-DC转换器、DC-AC转换器以及AI服务器、太阳能逆变器和电动汽车充电。其中Q-DPAK能够利用SiC固有的快速开关速度，同时保证约20W的功率耗散能力。

主要特性
  • 通孔和SMD封装
  • 集成开尔文源
  • 汽车级设备超越 AEC Q101 认证；工业级设备超越 JEDEC 认证
  • 高产品组合粒度 RDS(on) 8 mΩ 至 140 mΩ 和封装
应用
电动汽车电源转换和车载充电器
电动汽车充电
服务器电源单元 (PSU)
光伏

产品

产品

关于

了解有关 750 V CoolSiC™汽车 MOSFET 的更多信息

适用于需要最佳性价比的 2 级和 3 级拓扑中高达 600 VDC_LINK 电压的功率转换。

进一步了解更多信息
750 V 碳化硅 MOSFET 的优势
  • 高度坚固的 750 V 技术，100% 经过雪崩测试
  • 一流的 R DS(on) x Q fr
  • 出色的 R DS(on) x Q oss和 R DS(on ) x Q G
  • 低 C rss /C iss和高 V GS(th)的独特组合
  • 英飞凌专有芯片贴装技术
  • 驱动器源引脚可用
关于分立式外壳 CoolSiC MOSFET 的更多信息
Q-DPAK 顶部冷却封装

顶部冷却 (TSC) 设备是焊接到印刷电路板 (PCB) 上的表面贴装功率设备。半导体芯片产生的热量通过封装顶部释放到连接的冷板。
TSC 电源封装是提高热性能和电气性能的解决方案。这些封装还有助于提高功率密度并减少制造工作量。

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适用于需要最佳性价比的 2 级和 3 级拓扑中高达 600 VDC_LINK 电压的功率转换。

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750 V 碳化硅 MOSFET 的优势
  • 高度坚固的 750 V 技术，100% 经过雪崩测试
  • 一流的 R DS(on) x Q fr
  • 出色的 R DS(on) x Q oss和 R DS(on ) x Q G
  • 低 C rss /C iss和高 V GS(th)的独特组合
  • 英飞凌专有芯片贴装技术
  • 驱动器源引脚可用
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Q-DPAK 顶部冷却封装

顶部冷却 (TSC) 设备是焊接到印刷电路板 (PCB) 上的表面贴装功率设备。半导体芯片产生的热量通过封装顶部释放到连接的冷板。
TSC 电源封装是提高热性能和电气性能的解决方案。这些封装还有助于提高功率密度并减少制造工作量。

文档

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