这是机器翻译的内容，点击这里了解更多

概述

英飞凌 400 V / 440 V CoolSiC™碳化硅 MOSFET 分立器件专为 AI 服务器电源、工业和医疗电源、音频和太阳能等应用而开发，可提供 650 V 分立 MOSFET 的成本/性能替代方案。 适用于需要最佳性价比的 2 级和 3 级拓扑中高达 600 VDC_LINK 电压的功率转换。

主要特性
  • V （BR）DSS高达 400 V / 440 V
  • 导通电阻从 11 mΩ 到 45 mΩ
  • TOLL 和 D²PAK 7 引脚封装
  • 低RDS(on)温度系数
  • 低Q gd 、Q oss 、Q fr 、E oss
  • 高压摆率控制和 Coss 线性度
  • 简单的单极栅极驱动
  • 栅极阈值电压，V GS(th) = 4.5 V
  • 100% 经过雪崩测试
应用
音频放大器解决方案
电池管理系统（BMS）
马达控制
服务器电源单元 (PSU)
可再生能源

产品

产品

关于

分立式CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 分立器件经过专门设计，可在电力电子应用中提供卓越的效率和可靠性。 这些器件的电压范围为 400 V 至 2000 V，导通电阻值为 7mΩ 至 1000mΩ。它们针对功率因数校正电路、DC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器等硬开关和谐振开关拓扑进行了优化。集成的快速续流二极管无需额外的二极管芯片即可实现硬开关，从而简化了电路设计。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 分立器件降低了系统复杂性，提高了功率密度并实现了最高效率，从而减少了冷却工作量。

关于分立式外壳 CoolSiC MOSFET 的更多信息
400 V CoolSiC™ MOSFET

适用于需要最佳性价比的 2 级和 3 级拓扑中高达 600 VDC_LINK 电压的功率转换。

分立式CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 分立器件经过专门设计，可在电力电子应用中提供卓越的效率和可靠性。 这些器件的电压范围为 400 V 至 2000 V，导通电阻值为 7mΩ 至 1000mΩ。它们针对功率因数校正电路、DC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器等硬开关和谐振开关拓扑进行了优化。集成的快速续流二极管无需额外的二极管芯片即可实现硬开关，从而简化了电路设计。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 分立器件降低了系统复杂性，提高了功率密度并实现了最高效率，从而减少了冷却工作量。

关于分立式外壳 CoolSiC MOSFET 的更多信息

400 V CoolSiC™ MOSFET

适用于需要最佳性价比的 2 级和 3 级拓扑中高达 600 VDC_LINK 电压的功率转换。

文档

文档