400 V / 440 V碳化硅MOSFET

400 V / 440 V CoolSiC™ MOSFET，导通电阻额定值从 11 mΩ 到 45 mΩ

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概述

英飞凌 400 V / 440 V CoolSiC™ 碳化硅分立 MOSFET 器件，专为 AI 服务器电源、工业与医疗电源供应商、音频设备及太阳能等应用而开发，可作为 650 V 分立 MOSFET 在成本与性能上的优选替代方案。适用于直流母线电压最高 600V 的两电平和三电平拓扑功率变换场景，尤其适合追求最佳性价比的应用。

关键特性

  • 漏源击穿电压 V(BR)DSS 最高可达 400 V / 440 V
  • 导通电阻范围 11 mΩ - 45 mΩ
  • 采用 TOLL、TOLT 及 D2PAK-7 表贴封装
  • 采用 TO247、TO247 4 脚直插封装
  • 导通电阻RDS(on) ) 温度系数低
  • 栅极漏电荷Qgd、输出电荷 Qoss、反向恢复电荷 Qfr、输出能量 Eoss 均较低
  • 压摆率控制优异，输出电容 Coss 线性度高
  • 可轻松采用单极性栅极驱动
  • 栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V
  • 100% 通过雪崩测试

产品

关于

分立式CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 分立器件专为在电力电子应用中提供卓越的效率和可靠性而设计。这些器件的电压范围为 400 V 至 2000 V，导通电阻值为 7mΩ 至 1000mΩ。它们针对硬开关和谐振开关拓扑结构（如功率因数校正电路、直流-直流转换器和直流-交流逆变器）进行了优化。集成的快速续流二极管无需额外的二极管芯片即可实现硬开关，从而简化了电路设计。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 分立器件降低了系统复杂性，提高了功率密度，并实现了最高效率，从而减少了散热工作量。

了解更多关于分立封装的 CoolSiC™ MOSFET 信息
400V CoolSiC™ MOSFET

适用于最高 600 VDC 母线电压的功率转换场景，覆盖需要最佳性价比的两电平与三电平拓扑。

分立式CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 分立器件专为在电力电子应用中提供卓越的效率和可靠性而设计。这些器件的电压范围为 400 V 至 2000 V，导通电阻值为 7mΩ 至 1000mΩ。它们针对硬开关和谐振开关拓扑结构（如功率因数校正电路、直流-直流转换器和直流-交流逆变器）进行了优化。集成的快速续流二极管无需额外的二极管芯片即可实现硬开关，从而简化了电路设计。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 分立器件降低了系统复杂性，提高了功率密度，并实现了最高效率，从而减少了散热工作量。

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400V CoolSiC™ MOSFET

适用于最高 600 VDC 母线电压的功率转换场景，覆盖需要最佳性价比的两电平与三电平拓扑。

文档

设计资源

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