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概述

英飞凌 1700 V CoolSiC™碳化硅 MOSFET 分立器件针对反激式拓扑进行了优化，可用于连接到 600 V 至 1000 V 直流链路电压的辅助电源，适用于众多电源应用。

主要特性
  • 最高可达 3300 V
  • 导通电阻额定值高达 1000 mΩ。
  • 针对反激式拓扑进行了优化
  • 极低的开关损耗
  • 12 V / 0 V 栅极源电压与反激式控制器兼容
  • 完全可控的 dV/dt，用于 EMI 优化
  • 提供两种封装类型：TO-247-3 高爬电间隙封装和 TO-263-7 (D²PAK) 封装
  • XT互连技术（TO-247-3 HCC产品组合）
应用
电动汽车充电
DIN 导轨电源解决方案
工业电机驱动和控制
通用电机驱动器
储能系统
不间断电源 (UPS)
三相组串逆变器解决方案

产品

产品

关于

1700 V CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 1700 V 有两种封装类型 - TO-247-3-HCC 封装和 TO-263-7 封装。 该产品系列适用于多种电源转换应用中连接到 600 V 至 1000 V 直流母线电压的单端反激式辅助电源。主要特点包括由反激式控制器直接驱动，并且无需栅极驱动器 IC。

辅助电源可以根据您的喜好采用 TO-247-3 或 SMD 封装来实现。TO-247 封装的一个优点是基于 Si MOSFET 的解决方案的简易即插即用。

TO-263-7 封装支持轻松组装，无需散热器。它最大限度地减少了零件数量并降低了系统成本。

分立式CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 分立器件经过专门设计，可在电力电子应用中提供卓越的效率和可靠性。 这些器件的电压范围为 400 V 至 2000 V，导通电阻值为 7mΩ 至 1000mΩ。它们针对功率因数校正电路、DC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器等硬开关和谐振开关拓扑进行了优化。集成的快速续流二极管无需额外的二极管芯片即可实现硬开关，从而简化了电路设计。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 分立器件降低了系统复杂性，提高了功率密度并实现了最高效率，从而减少了冷却工作量。

关于分立式外壳 CoolSiC MOSFET 的更多信息

1700 V CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 1700 V 有两种封装类型 - TO-247-3-HCC 封装和 TO-263-7 封装。 该产品系列适用于多种电源转换应用中连接到 600 V 至 1000 V 直流母线电压的单端反激式辅助电源。主要特点包括由反激式控制器直接驱动，并且无需栅极驱动器 IC。

辅助电源可以根据您的喜好采用 TO-247-3 或 SMD 封装来实现。TO-247 封装的一个优点是基于 Si MOSFET 的解决方案的简易即插即用。

TO-263-7 封装支持轻松组装，无需散热器。它最大限度地减少了零件数量并降低了系统成本。

分立式CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 分立器件经过专门设计，可在电力电子应用中提供卓越的效率和可靠性。 这些器件的电压范围为 400 V 至 2000 V，导通电阻值为 7mΩ 至 1000mΩ。它们针对功率因数校正电路、DC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器等硬开关和谐振开关拓扑进行了优化。集成的快速续流二极管无需额外的二极管芯片即可实现硬开关，从而简化了电路设计。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 分立器件降低了系统复杂性，提高了功率密度并实现了最高效率，从而减少了冷却工作量。

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文档

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