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概述
HybridPACK™ Drive 为混合动力和电动汽车牵引提供了紧凑且可扩展的电力解决方案,功率范围从 100 kW 到 300 kW,电压等级为 750 V 和 1200 V。它允许使用热堆栈和芯片组进行性能扩展,同时保持相同的模块封装。
关键特性
- 卓越的Si 和 SiC 技术
- 性能和效率的标杆
- 行业标准的基底面
- 可扩展性和易设计性
- AQG324 汽车认证
应用
产品
关于
HybridPACK™ Drive于2017年首次推出,采用英飞凌的硅EDT2技术,该技术经过专门优化,可在实际驾驶中提供最佳效率。 2021年,英飞凌推出了基于英飞凌碳化硅沟槽MOSFET结构的全新CoolSiC™版本。 与平面结构相比,沟槽可实现更高的能量密度,从而获得同类最佳的品质因数。
2023年,英飞凌推出了第二代功率模块: HybridPACK™ Drive G2,采用先进的EDT3 IGBT和CoolSiC™ G2 MOSFET芯片技术。 HybridPACK™ Drive G2 的功率范围高达 300 kW,与上一代产品相比,它具有更高的易用性和新功能,例如下一代相电流传感器的集成选项和 IGBT 产品的片上温度传感,从而可以降低系统成本。 由于组装和互连技术的改进,它还提供更高的性能和功率密度。到 2025 年, HybridPACK™ Drive G2 产品组合将扩展至包括不同的额定电流和电压水平(750 V 和 1200 V)。
- HybridPACK™ Drive G1 和 G2 是市场上最具可扩展性的电源组合,具有 1200 V 和 750 V 的 IGBT 和 CoolSiC™,适用于各种功率等级,无需对系统做大量重新设计。
- 它们提供一流的 EDT2 和 CoolSiC™ 芯片组,具有高功率密度和软开关行为,便于设计电动汽车中的牵引逆变器。
- HybridPACK™ Drive G2延续成功:EDT3 和CoolSiC™ G2 技术树立了新的性能和效率标杆,从而提高了性价比
- 全面汽车认证 AQG324
HybridPACK™ Drive于2017年首次推出,采用英飞凌的硅EDT2技术,该技术经过专门优化,可在实际驾驶中提供最佳效率。 2021年,英飞凌推出了基于英飞凌碳化硅沟槽MOSFET结构的全新CoolSiC™版本。 与平面结构相比,沟槽可实现更高的能量密度,从而获得同类最佳的品质因数。
2023年,英飞凌推出了第二代功率模块: HybridPACK™ Drive G2,采用先进的EDT3 IGBT和CoolSiC™ G2 MOSFET芯片技术。 HybridPACK™ Drive G2 的功率范围高达 300 kW,与上一代产品相比,它具有更高的易用性和新功能,例如下一代相电流传感器的集成选项和 IGBT 产品的片上温度传感,从而可以降低系统成本。 由于组装和互连技术的改进,它还提供更高的性能和功率密度。到 2025 年, HybridPACK™ Drive G2 产品组合将扩展至包括不同的额定电流和电压水平(750 V 和 1200 V)。
- HybridPACK™ Drive G1 和 G2 是市场上最具可扩展性的电源组合,具有 1200 V 和 750 V 的 IGBT 和 CoolSiC™,适用于各种功率等级,无需对系统做大量重新设计。
- 它们提供一流的 EDT2 和 CoolSiC™ 芯片组,具有高功率密度和软开关行为,便于设计电动汽车中的牵引逆变器。
- HybridPACK™ Drive G2延续成功:EDT3 和CoolSiC™ G2 技术树立了新的性能和效率标杆,从而提高了性价比
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