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概述

英飞凌CoolSiC™碳化硅 MOSFET 650 V 分立器件专为服务器 SMPS、ESS、太阳能逆变器、电动汽车充电、UPS 和其他工业 SMPS 等应用而开发。

主要特性
  • 领先的沟槽技术，具有卓越的栅极氧化层可靠性
  • 最佳免疫力，避免不必要的开启效应
  • 高雪崩能力
  • G2 中的驱动电压范围扩大（-7 V 至 +23 V 静态）
  • .XT互连封装技术
应用
电信基础设施的 AC-DC 电源转换
服务器电源单元 (PSU)
光伏

产品

产品

关于

650 V 碳化硅 MOSFET 的技术信息

英飞凌的CoolSiC™碳化硅 MOSFET 650 V 分立器件具有出色的寄生导通稳定性和成熟的栅极氧化技术，可在图腾柱 PFC、维也纳整流器和 ANPC 等硬开关拓扑中实现出色的性能。 此外，G2 中输出电容 (Coss) 的大幅降低允许在软开关拓扑（例如 CLLC、DAB 和 LLC）中以更高的开关频率运行。因此，对于 3 kW 至 12 kW 的服务器和 AI PSU，可以实现高达 100W/in3 的功率密度和满载时约 97.5% 的整体效率，同时最大限度地减少物料清单 (BOM)。

650 V 碳化硅 MOSFET 详情

人工智能（AI）应用正在快速发展，并且需要比其他传统数据中心应用更高的功率。英飞凌CoolSiC™以及CoolMOS™高 RDS粒度和广泛的软件包提供额外的自由度，以满足AI 服务器的严格要求。

查看英飞凌参考设计和评估板，了解使用CoolSiC™ 650 V 分立 MOSFET 的高效 PSU 设计：

REF_3K3W_HFHD_电源
REF_1KW_电源_5G_SIC
EVAL_3K3W_TP_PFC_SIC2
英飞凌采用 QDPAK、TOLT、TOLL 和 ThinTOLL 等创新 SMD 封装

除了 TO247 之外， CoolSiC™ 650 V MOSFET 还具有顶部冷却 (TSC) 封装，可用于 JEDEC 注册的 QDPAK 和 TOLT。 TSC 可以实现热优化（即。冷却堆栈）和电路（即功率环路电感），同时保持较小的尺寸。此外，TSC 还支持自动化组装，实现可扩展性和平台设计，并优化成本。另一方面，TOLL 适用于使用子卡方法的 PSU。ThinTOLL 是该产品组合中尺寸最小的，可实现高功率密度设计。

进一步了解更多信息
深入了解顶部冷却套件
G2 与 G1 相比，FOM 提高了 30% - 50%，性能和功率密度实现了飞跃

G2 提供全面的产品组合，包括新增的封装和最低的 7 毫欧姆。它还进一步提高了CoolSiC™ MOSFET 的性价比。

650 V 碳化硅 MOSFET 的技术信息

英飞凌的CoolSiC™碳化硅 MOSFET 650 V 分立器件具有出色的寄生导通稳定性和成熟的栅极氧化技术，可在图腾柱 PFC、维也纳整流器和 ANPC 等硬开关拓扑中实现出色的性能。 此外，G2 中输出电容 (Coss) 的大幅降低允许在软开关拓扑（例如 CLLC、DAB 和 LLC）中以更高的开关频率运行。因此，对于 3 kW 至 12 kW 的服务器和 AI PSU，可以实现高达 100W/in3 的功率密度和满载时约 97.5% 的整体效率，同时最大限度地减少物料清单 (BOM)。

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人工智能（AI）应用正在快速发展，并且需要比其他传统数据中心应用更高的功率。英飞凌CoolSiC™以及CoolMOS™高 RDS粒度和广泛的软件包提供额外的自由度，以满足AI 服务器的严格要求。

查看英飞凌参考设计和评估板，了解使用CoolSiC™ 650 V 分立 MOSFET 的高效 PSU 设计：

REF_3K3W_HFHD_电源
REF_1KW_电源_5G_SIC
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英飞凌采用 QDPAK、TOLT、TOLL 和 ThinTOLL 等创新 SMD 封装

除了 TO247 之外， CoolSiC™ 650 V MOSFET 还具有顶部冷却 (TSC) 封装，可用于 JEDEC 注册的 QDPAK 和 TOLT。 TSC 可以实现热优化（即。冷却堆栈）和电路（即功率环路电感），同时保持较小的尺寸。此外，TSC 还支持自动化组装，实现可扩展性和平台设计，并优化成本。另一方面，TOLL 适用于使用子卡方法的 PSU。ThinTOLL 是该产品组合中尺寸最小的，可实现高功率密度设计。

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G2 与 G1 相比，FOM 提高了 30% - 50%，性能和功率密度实现了飞跃

G2 提供全面的产品组合，包括新增的封装和最低的 7 毫欧姆。它还进一步提高了CoolSiC™ MOSFET 的性价比。

文档

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