650 V碳化硅MOSFET

650 V CoolSiC™ MOSFET 工业级，导通电阻额定值从 7 mΩ 到 260 mΩ

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概述

英飞凌CoolSiC™碳化硅 MOSFET 650 V 分立器件专为服务器 SMPS、ESS、太阳能逆变器、电动汽车充电、UPS 和其他工业 SMPS 等应用而开发。

关键特性

  • 领先的沟槽技术，具有卓越的栅极氧化层可靠性
  • 最佳免疫力，避免不必要的开启效应
  • 高雪崩能力
  • G2 中的驱动电压范围扩大（-7 V 至 +23 V 静态）
  • .XT互连封装技术

产品

关于

650 V 碳化硅 MOSFET 的技术信息

英飞凌的CoolSiC™碳化硅 MOSFET 650 V 分立器件具有出色的寄生导通鲁棒性和成熟的栅极氧化层技术，使其在图腾柱 PFC、维也纳整流器和 ANPC 等硬开关拓扑中表现出色。此外，G2 输出电容（Coss）的大幅降低还允许在 CLLC、DAB 和 LLC 等软开关拓扑中以更高的开关频率运行。因此，对于 3 kW 至 12 kW 的服务器和 AI PSU，可实现高达 100W/in3 的功率密度和约 97.5% 的满负荷总体效率，同时最大限度地减少材料清单 (BOM)。

650 V 碳化硅 MOSFET

人工智能（AI）应用发展迅速，与其他传统数据中心应用相比，需要更高的功率。英飞凌 CoolSiC™碳化硅器件，搭配 CoolMOS™低导通电阻精细选型规格与丰富封装品类，可提供更多设计自由度，满足人工智能服务器严苛的性能要求。

 

英飞凌采用 QDPAK、TOLT、TOLL 和 ThinTOLL 等创新 SMD 封装

除了 TO247 之外， CoolSiC™ 650 V MOSFET 还具有顶部冷却 (TSC) 封装，可用于 JEDEC 注册的 QDPAK 和 TOLT。 TSC 可以实现热优化（即。冷却堆栈）和电路（即功率环电感），同时保持较小的外形尺寸。此外，TSC 可实现可扩展性和平台设计，并具有自动组装功能，并优化成本。另一方面，TOLL 适用于使用子卡方法的 PSU。ThinTOLL 是该产品组合中尺寸最小的，可实现高功率密度设计。

进一步了解
深入了解顶部冷却套件
与 G1 相比，G2 将 FOM 提高了 30% - 50% ，在性能和功率密度方面实现了飞跃

G2 提供全面的产品组合，包括新增的封装和最低的 7 毫欧姆。它还进一步提高了CoolSiC™ MOSFET 的性价比。

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650 V 碳化硅 MOSFET 的技术信息

英飞凌的CoolSiC™碳化硅 MOSFET 650 V 分立器件具有出色的寄生导通鲁棒性和成熟的栅极氧化层技术，使其在图腾柱 PFC、维也纳整流器和 ANPC 等硬开关拓扑中表现出色。此外，G2 输出电容（Coss）的大幅降低还允许在 CLLC、DAB 和 LLC 等软开关拓扑中以更高的开关频率运行。因此，对于 3 kW 至 12 kW 的服务器和 AI PSU，可实现高达 100W/in3 的功率密度和约 97.5% 的满负荷总体效率，同时最大限度地减少材料清单 (BOM)。

650 V 碳化硅 MOSFET

人工智能（AI）应用发展迅速，与其他传统数据中心应用相比，需要更高的功率。英飞凌 CoolSiC™碳化硅器件，搭配 CoolMOS™低导通电阻精细选型规格与丰富封装品类，可提供更多设计自由度，满足人工智能服务器严苛的性能要求。

 

英飞凌采用 QDPAK、TOLT、TOLL 和 ThinTOLL 等创新 SMD 封装

除了 TO247 之外， CoolSiC™ 650 V MOSFET 还具有顶部冷却 (TSC) 封装，可用于 JEDEC 注册的 QDPAK 和 TOLT。 TSC 可以实现热优化（即。冷却堆栈）和电路（即功率环电感），同时保持较小的外形尺寸。此外，TSC 可实现可扩展性和平台设计，并具有自动组装功能，并优化成本。另一方面，TOLL 适用于使用子卡方法的 PSU。ThinTOLL 是该产品组合中尺寸最小的，可实现高功率密度设计。

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深入了解顶部冷却套件
与 G1 相比，G2 将 FOM 提高了 30% - 50% ，在性能和功率密度方面实现了飞跃

G2 提供全面的产品组合，包括新增的封装和最低的 7 毫欧姆。它还进一步提高了CoolSiC™ MOSFET 的性价比。

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文档

设计资源

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