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2000 V碳化硅MOSFET
2000 V CoolSiC™ MOSFET 具有不同的型号，导通电阻额定值从 12 mΩ 到 2.6 mΩ
产品
关于
英飞凌的 2000V CoolSiC™模块和分立器件属于碳化硅 (SiC) 功率半导体器件系列，旨在为广泛的应用提供高功率密度、效率和可靠性。 它们采用CoolSiC™技术，可以开发性能更高、损耗更低的高压功率设备。
2000V CoolSiC™模块和分立器件设计用于高电压运行，适用于工业电源、可再生能源系统和电动汽车充电基础设施等应用。 这些设备具有一系列优点，包括高开关频率、低开关损耗和高热导率，使其成为高功率应用的理想选择。
英飞凌 2000V CoolSiC™模块和分立器件的主要优势之一是它们能够在高温下运行，因此适合在恶劣环境下使用。
CoolSiC™ MOSFET 分立器件经过专门设计，可在电力电子应用中提供卓越的效率和可靠性。 这些器件的电压范围为 400 V 至 2000 V，导通电阻值为 7mΩ 至 1000mΩ。它们针对功率因数校正电路、DC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器等硬开关和谐振开关拓扑进行了优化。集成的快速续流二极管无需额外的二极管芯片即可实现硬开关，从而简化了电路设计。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 分立器件降低了系统复杂性，提高了功率密度并实现了最高效率，从而减少了冷却工作量。
CoolSiC™ MOSFET 模块允许高工作温度和开关频率，从而提高整体系统效率。 这些模块有多种配置，包括 3 级、半桥、四组、六组和升压拓扑，电压有 1200 V、2000 V 和 3300 V 三种。
还可以订购预涂热界面材料 (TIM) 等附加选项。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 模块基于沟槽技术，具有卓越的栅极氧化物可靠性、一流的开关和传导损耗。
英飞凌的 2000V CoolSiC™模块和分立器件属于碳化硅 (SiC) 功率半导体器件系列，旨在为广泛的应用提供高功率密度、效率和可靠性。 它们采用CoolSiC™技术，可以开发性能更高、损耗更低的高压功率设备。
2000V CoolSiC™模块和分立器件设计用于高电压运行，适用于工业电源、可再生能源系统和电动汽车充电基础设施等应用。 这些设备具有一系列优点，包括高开关频率、低开关损耗和高热导率，使其成为高功率应用的理想选择。
英飞凌 2000V CoolSiC™模块和分立器件的主要优势之一是它们能够在高温下运行，因此适合在恶劣环境下使用。
CoolSiC™ MOSFET 分立器件经过专门设计，可在电力电子应用中提供卓越的效率和可靠性。 这些器件的电压范围为 400 V 至 2000 V，导通电阻值为 7mΩ 至 1000mΩ。它们针对功率因数校正电路、DC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器等硬开关和谐振开关拓扑进行了优化。集成的快速续流二极管无需额外的二极管芯片即可实现硬开关，从而简化了电路设计。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 分立器件降低了系统复杂性，提高了功率密度并实现了最高效率，从而减少了冷却工作量。
CoolSiC™ MOSFET 模块允许高工作温度和开关频率，从而提高整体系统效率。 这些模块有多种配置，包括 3 级、半桥、四组、六组和升压拓扑，电压有 1200 V、2000 V 和 3300 V 三种。
还可以订购预涂热界面材料 (TIM) 等附加选项。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 模块基于沟槽技术，具有卓越的栅极氧化物可靠性、一流的开关和传导损耗。