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概述

采用 .XT 互连技术的 XHP ™ 2 CoolSiC™ MOSFET 3.3 kV 专为需要高功率和高可靠性的应用而开发，例如储能系统、氢电解、光伏、牵引等。

主要特性
  • CoolSiC™ MOSFET 3.3kV
  • XHP ™ 2 外壳
  • .XT互连技术
  • 集成体二极管
  • R DS(on) ：1.9、2.5、3.8 毫欧
  • 额定电流：1000、750、500A
应用
储能系统
氢电解
光伏
轨交

产品

产品

XHP ™ 2 CoolSiC ™ MOSFET 3.3 kV，采用 .XT 互连技术

3.3 kV 快速开关、节能碳化硅CoolSiC™ MOSFET，采用低电感 XHP ™ 2 外壳，具有半桥拓扑和强大的 .XT 互连技术，可延长使用寿命，有不同的版本可供选择，Rdson 从 1.9 至 3.8 mΩ，Inom 从 1000 A 至 500 A。

CoolSiC™ MOSFET 模块

CoolSiC™ MOSFET 模块允许高工作温度和开关频率，从而提高整体系统效率。 这些模块有多种配置，包括 3 级、半桥、四组、六组和升压拓扑，电压有 1200 V、2000 V 和 3300 V 三种。

还可以订购预涂热界面材料 (TIM) 等附加选项。

英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 模块基于沟槽技术，具有卓越的栅极氧化物可靠性、一流的开关和传导损耗。

关于模块外壳中的 CoolSiC MOSFET 的更多信息

XHP ™ 2 CoolSiC ™ MOSFET 3.3 kV，采用 .XT 互连技术

3.3 kV 快速开关、节能碳化硅CoolSiC™ MOSFET，采用低电感 XHP ™ 2 外壳，具有半桥拓扑和强大的 .XT 互连技术，可延长使用寿命，有不同的版本可供选择，Rdson 从 1.9 至 3.8 mΩ，Inom 从 1000 A 至 500 A。

CoolSiC™ MOSFET 模块

CoolSiC™ MOSFET 模块允许高工作温度和开关频率，从而提高整体系统效率。 这些模块有多种配置，包括 3 级、半桥、四组、六组和升压拓扑，电压有 1200 V、2000 V 和 3300 V 三种。

还可以订购预涂热界面材料 (TIM) 等附加选项。

英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 模块基于沟槽技术，具有卓越的栅极氧化物可靠性、一流的开关和传导损耗。

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