2300 V 碳化硅 MOSFET

概述

XHP™ 2 CoolSiC™ MOSFET 2300 V 专为满足 1500 V 直流母线这一助力发展趋势而开发，具体应用场景包括可再生能源、储能系统等领域。该系列器件采用可靠的 .XT 互连技术，实现了卓越的性能、更长的使用寿命以及行业领先的可靠性。

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关于

2.3 kV 快速开关、节能型碳化硅CoolSiC™ MOSFET 采用低寄生电感 XHP ™ 2 外壳，具有半桥拓扑结构和强大的 .XT 互连技术，可延长使用寿命，有多种型号可供选择，导通电阻 Rdson 从 0.95 mΩ 到 1.27 mΩ。

CoolSiC™ MOSFET 模块可实现高工作温度和开关频率，从而提高整体系统效率。这些模块有多种配置，包括三电平、半桥、全桥、B6和升压拓扑结构，电压为 1200 V、2000 V 和 3300 V。

还可以订购预涂热界面材料（TIM）等其他选件。

英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 模块采用沟槽技术，具有卓越的栅极氧化层可靠性、一流的开关损耗和导通损耗。

01XHP ™ 2 CoolSiC ™ MOSFET 3.3 kV，采用 .XT 互连技术

02CoolSiC™ MOSFET 模块

还可以订购预涂热界面材料（TIM）等其他选件。

英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 模块采用沟槽技术，具有卓越的栅极氧化层可靠性、一流的开关损耗和导通损耗。