概述

英飞凌 1200 V CoolSiC™碳化硅 MOSFET 分立器件和模块专为光伏、储能、电动汽车充电、UPS、工业驱动等应用而开发。这些产品能够加速系统设计，从而实现成本更优化、更高效、更紧凑、更可靠的解决方案。

主要特性

导通电阻额定值高达 1.44 mΩ
降低开关 & 通态损耗
宽栅源电压范围
最高 Tvjop 为 175°C
阈值电压Vth > 4 V

应用

关于

1200 V CoolSiC™ MOSFET

英飞凌的 1200V CoolSiC™模块和分立器件是旨在彻底改变电力电子行业的尖端技术。这些创新产品以碳化硅 (SiC) 为基础，与传统的硅 (Si) 设备相比，这种材料具有卓越的性能和效率。1200V CoolSiC™产品组合专为满足对高功率、高效率和紧凑型电源转换系统日益增长的需求而设计。

英飞凌 1200V CoolSiC™模块和分立器件的主要优势之一是它们能够在更高的电压和温度范围内运行，使其成为快速切换应用的理想选择，例如电动汽车充电基础设施、光伏、储能以及 UPS 和 SSB，这些应用受到人工智能日益增长的需求的推动。此外，它们非常适合汽车行业的电源（OBC、加热器、压缩机……）。SiC技术使这些器件能够实现更高的开关频率、降低损耗、提高热性能，从而提高系统效率、可靠性并改善系统成本。

分立式CoolSiC™ MOSFET

CoolSiC™ MOSFET 分立器件经过专门设计，可在电力电子应用中提供卓越的效率和可靠性。这些器件的电压范围为 400 V 至 2000 V，导通电阻值为 7mΩ 至 1000mΩ。它们针对功率因数校正电路、DC-DC 转换器和 DC-AC 逆变器等硬开关和谐振开关拓扑进行了优化。集成的快速续流二极管无需额外的二极管芯片即可实现硬开关，从而简化了电路设计。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 分立器件降低了系统复杂性，提高了功率密度并实现了最高效率，从而减少了冷却工作量。

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CoolSiC™ MOSFET 模块

CoolSiC™ MOSFET 模块允许高工作温度和开关频率，从而提高整体系统效率。这些模块有多种配置，包括 3 级、半桥、四组、六组和升压拓扑，电压有 1200 V、2000 V 和 3300 V 三种。

还可以订购预涂热界面材料 (TIM) 等附加选项。英飞凌的CoolSiC™ MOSFET 模块基于沟槽技术，具有卓越的栅极氧化物可靠性、一流的开关和传导损耗。

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第 2 代 CoolSiC™ MOSFET

了解新型 CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽 MOSFET 如何将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。在光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电、电源、电机驱动等众多应用中，SiC MOSFET 都能提供比 Si 替代品更高的性能。

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