这是机器翻译的内容,点击这里了解更多

服务器电源

使用英飞凌创新的服务器 SMPS 半导体解决方案,实现真正高效的服务器和数据中心 SMPS

nobutton

概述

了解英飞凌尖端服务器电源解决方案。利用我们可靠和创新的技术提高性能和效率。从先进的电源管理到高功率密度设计,我们的服务器电源解决方案可确保最佳的可靠性和可扩展性。英飞凌为您的数据中心应用赋予卓越的质量和出色的性能,值得您的信赖。立即了解我们的全套服务器 SMPS 解决方案。

产品优势

  • 提供完整的系统
  • WBG技术组合
  • 广泛的产品组合
  • 具有WBG的无桥 PFC
  • 具有WBG的高频 LLC
  • 高密度设计
  • 高效率
  • 宽范围的输入/输出功率

框图

关于

电源装置 (PSU) 是必不可少的组件,它为整个系统的可靠运行提供所需的能量和稳定性。英飞凌通过完整的服务器电源系统解决方案解决了这一问题,该解决方案旨在满足处理生成性 AI 任务的现代服务器和数据中心 SMPS 应用的需求。

我们的服务器电源解决方案采用一系列先进技术,包括CoolMOS™高压 MOSFET、 OptiMOS™低压 MOSFET、 EiceDRIVER™栅极驱动器、XMC ™系列微控制器和 CoolSET ™辅助电源控制器。 这些组件共同构成了完整、高效的系统解决方案,以满足您的电源需求。

人工智能 (AI) 的快速发展大大增加了对数据中心处理能力的需求,给服务器电源 (PSU) 带来了更大的压力。这种不断增长的需求推动了服务器机架设计的适应,强调更高的功率输出、更好的能源效率和更大的功率密度来处理现代工作负载。我们的CoolSiC™和 CoolGaN ™技术处于这一转型的前沿,提供突破性的解决方案,为 AI 工厂的 PSU 设计树立新的行业标杆。

这些先进的技术不仅可以满足不断增长的电力需求,还可以实现更高的性能、更低的能耗以及紧凑的设计,从而最大限度地利用机架空间。通过利用这些创新,数据中心可以实现可扩展、可持续且面向未来的服务器电源解决方案,满足当前和新兴应用的需求。

英飞凌还在服务器 SMPS 设计中利用了最先进的宽带隙技术。

例如,我们的CoolSiC™ MOSFET 带来很多好处。 除了明显的性能提升之外,它还提供了稳健性和可靠性,例如栅极氧化物可靠性、额定硬换向的体二极管和雪崩能力。此外, CoolSiC™具有较宽的 V GS范围和 0 V 关断 V GS ,易于使用。

另外,我们基于氮化镓的 CoolGaN ™ HEMT 具有出色的品质因数,可带来巨大的优势。氮化镓本身可提供 10 倍更高的击穿场、2 倍更高的迁移率、10 倍更低的输出电荷、零反向恢复电荷、以及 10 倍更低的栅极电荷和线性 C OSS 。此外,在技术优势方面,我们还看到了非常低的R DS(ON)和巨大的成本降低潜力、谐振电路的更高效率、新拓扑和电流调制的可能性,以及快速且近乎无损的切换。最终用户的利益包括更小更轻的设计、更高的效率和更低的系统成本。

除了分立器件本身之外,我们还提供专门设计用于与其配合工作的栅极驱动器。

英飞凌广泛的功率器件技术(Si、SiC 和 GaN)与优化的栅极驱动器 IC 相结合,为当前和下一代平台提供了强大的支持。通过以混合方式集成这三种技术,PSU 设计实现了最佳灵活性,同时平衡了效率、功率密度和系统成本。

电源装置 (PSU) 是必不可少的组件,它为整个系统的可靠运行提供所需的能量和稳定性。英飞凌通过完整的服务器电源系统解决方案解决了这一问题,该解决方案旨在满足处理生成性 AI 任务的现代服务器和数据中心 SMPS 应用的需求。

我们的服务器电源解决方案采用一系列先进技术,包括CoolMOS™高压 MOSFET、 OptiMOS™低压 MOSFET、 EiceDRIVER™栅极驱动器、XMC ™系列微控制器和 CoolSET ™辅助电源控制器。 这些组件共同构成了完整、高效的系统解决方案,以满足您的电源需求。

人工智能 (AI) 的快速发展大大增加了对数据中心处理能力的需求,给服务器电源 (PSU) 带来了更大的压力。这种不断增长的需求推动了服务器机架设计的适应,强调更高的功率输出、更好的能源效率和更大的功率密度来处理现代工作负载。我们的CoolSiC™和 CoolGaN ™技术处于这一转型的前沿,提供突破性的解决方案,为 AI 工厂的 PSU 设计树立新的行业标杆。

这些先进的技术不仅可以满足不断增长的电力需求,还可以实现更高的性能、更低的能耗以及紧凑的设计,从而最大限度地利用机架空间。通过利用这些创新,数据中心可以实现可扩展、可持续且面向未来的服务器电源解决方案,满足当前和新兴应用的需求。

英飞凌还在服务器 SMPS 设计中利用了最先进的宽带隙技术。

例如,我们的CoolSiC™ MOSFET 带来很多好处。 除了明显的性能提升之外,它还提供了稳健性和可靠性,例如栅极氧化物可靠性、额定硬换向的体二极管和雪崩能力。此外, CoolSiC™具有较宽的 V GS范围和 0 V 关断 V GS ,易于使用。

另外,我们基于氮化镓的 CoolGaN ™ HEMT 具有出色的品质因数,可带来巨大的优势。氮化镓本身可提供 10 倍更高的击穿场、2 倍更高的迁移率、10 倍更低的输出电荷、零反向恢复电荷、以及 10 倍更低的栅极电荷和线性 C OSS 。此外,在技术优势方面,我们还看到了非常低的R DS(ON)和巨大的成本降低潜力、谐振电路的更高效率、新拓扑和电流调制的可能性,以及快速且近乎无损的切换。最终用户的利益包括更小更轻的设计、更高的效率和更低的系统成本。

除了分立器件本身之外,我们还提供专门设计用于与其配合工作的栅极驱动器。

英飞凌广泛的功率器件技术(Si、SiC 和 GaN)与优化的栅极驱动器 IC 相结合,为当前和下一代平台提供了强大的支持。通过以混合方式集成这三种技术,PSU 设计实现了最佳灵活性,同时平衡了效率、功率密度和系统成本。

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }