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OptiMOS™ PD 功率 MOSFET

OptiMOS™ PD——用于充电器和适配器的低压功率 MOSFET

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概述

OptiMOS™ PD 低压功率 MOSFET 产品系列是 USB Power Delivery（PD）和快速充电器设计的最佳选择，报价快，交货期短。采用 PQFN 3.3x3.3 以及 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ PD 功率 MOSFET针对充电器和适配器开关电源中的同步整流进行了优化。小封装减少了占板空间。

关键特性

  • 逻辑电平驱动
  • 低导通电阻 RDS(on)
  • 低 Qg、Qoss 和 Qrr
  • 出色的热特性
  • 两种标准封装

产品

关于

出色的热性能，低导通电阻 RDS(on)

OptiMOS™ PD 系列的功率 MOSFET 具有较低的导通电阻 (RDS(on))、较小的开关损耗以及较低的栅极、输出和反向恢复电荷，从而实现了高效率和高功率密度设计。

总损耗的减少也带来了出色的性价比，从而降低了系统的总 BOM 成本。
OptiMOS™ PD 用 PQFN 3.3x3.3 封装实现了更低的温升（与采用 SuperSO8 5x6 封装的次佳替代品相比）。

OptiMOS™ PD 功率 MOSFET 产品系列

逻辑电平驱动使器件能够用 4.5 V 的电压或直接微控制器完全驱动，从而减少了电路的器件数量。该产品系列包括 60-100 V MOSFET，是设计充电器和适配器同步整流 FET 的最佳选择。

OptiMOS™ PD有两种小型标准封装：
› PQFN 3.3x3.3

  • PQFN 3.3x3.3
  • SuperSO8
OptiMOS™ 用于 USB PD 同步整流的 PD MOSFET

英飞凌发布了专用于设计 USB-PD 充电器的同步整流和负载开关的 OptiMOS™ PD 系列产品。该系列产品的特点是具有低导通电阻 (RDS (on))、更低的开关损耗以及低栅极、输出和反向恢复电荷的 MOSFET。总损耗的减少也带来了出色的性价比，从而降低了系统的总 BOM 成本。

逻辑电平驱动使器件能够用 4.5 V 的电压或直接微控制器完全驱动，从而减少了电路的器件数量。此外，采用 PQFN 3.3x3.3和 SuperSO8 封装，缩小了 USB-PD 充电器的尺寸。小封装尺寸使得外形尺寸得以缩小，进而实现了 DOE 6 级能效、确保了高功率密度设计。

出色的热性能，低导通电阻 RDS(on)

OptiMOS™ PD 系列的功率 MOSFET 具有较低的导通电阻 (RDS(on))、较小的开关损耗以及较低的栅极、输出和反向恢复电荷，从而实现了高效率和高功率密度设计。

总损耗的减少也带来了出色的性价比，从而降低了系统的总 BOM 成本。
OptiMOS™ PD 用 PQFN 3.3x3.3 封装实现了更低的温升（与采用 SuperSO8 5x6 封装的次佳替代品相比）。

OptiMOS™ PD 功率 MOSFET 产品系列

逻辑电平驱动使器件能够用 4.5 V 的电压或直接微控制器完全驱动，从而减少了电路的器件数量。该产品系列包括 60-100 V MOSFET，是设计充电器和适配器同步整流 FET 的最佳选择。

OptiMOS™ PD有两种小型标准封装：
› PQFN 3.3x3.3

  • PQFN 3.3x3.3
  • SuperSO8

OptiMOS™ 用于 USB PD 同步整流的 PD MOSFET

英飞凌发布了专用于设计 USB-PD 充电器的同步整流和负载开关的 OptiMOS™ PD 系列产品。该系列产品的特点是具有低导通电阻 (RDS (on))、更低的开关损耗以及低栅极、输出和反向恢复电荷的 MOSFET。总损耗的减少也带来了出色的性价比，从而降低了系统的总 BOM 成本。

逻辑电平驱动使器件能够用 4.5 V 的电压或直接微控制器完全驱动，从而减少了电路的器件数量。此外，采用 PQFN 3.3x3.3和 SuperSO8 封装，缩小了 USB-PD 充电器的尺寸。小封装尺寸使得外形尺寸得以缩小，进而实现了 DOE 6 级能效、确保了高功率密度设计。

文档

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