GaN HEMT 氮化镓器件

CoolGaN ™晶体管 - 高效常关器件，电压范围从 60 V 到 700 V。

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概述

英飞凌的氮化镓功率晶体管正在推动数字化和脱碳，同时实现高频运行，提高效率并减小消费和工业应用中的系统尺寸。它们的电压等级从 60 V 到 700 V，并有多种封装可供选择。

关键特性

  • 60 V - 700 V GaN 晶体管
  • 顶部和底部冷却封装
  • 超快开关速度
  • 卓越的 FOM
  • 持续电流：4 A - 100 A
  • RDS(on)典型值。从 1.4 mΩ 到 450 mΩ
  • 增强模式（e-mode）
  • 无反向恢复电荷
  • 超低栅极电荷和输出电荷

产品

关于

英飞凌的 GaN 晶体管有哪些优势？

• 想要提高系统效率？通过使用英飞凌的 GaN 晶体管，您可以显著降低开关损耗，从而提高整体系统效率。

• 如何提高功率密度？英飞凌的 GaN 器件具有更高的开关频率，因此可以使用更小的无源元件，从而有助于减小设计的整体尺寸。

• 想要减轻系统重量？英飞凌的 GaN 晶体管能够使用更少的材料和更小的元件，从而减轻系统重量。凭借出色的开关速度，这些晶体管可提供高功率密度，同时最大限度地减少各种应用中的能量损耗，使设计人员能够创建更小、更轻、更紧凑的系统，同时仍能提供顶级性能。

与传统硅（Si）开关相比，英飞凌的 GaN 晶体管具有更高的散热性能，有助于在人工智能数据中心等大电流应用中使用，并能提高可靠性。英飞凌的 CoolGaN™ 晶体管专为坚固、耐用和承受高压尖峰而设计，可确保您的应用具有更长的使用寿命。

GaN 栅极驱动器 IC

合适的栅极驱动器 IC 是不可避免的，因为它可以帮助设计人员在最大限度地降低成本的同时实现最佳性能。我们广泛的产品组合包括为 GaN 量身定制的单通道和双通道隔离和非隔离栅极驱动器。其中，还有一系列具有真正差分输入的单通道非隔离器件，即 EiceDRIVER™ 1EDN TDI 系列。 

查看我们的 EiceDRIVER™产品组合，了解适合您的 GaN 设计的栅极驱动器 IC。

GaN 栅极驱动器 IC
GaN 封装

采用 PQFN 3x3 和 PQFN 3x5 封装的 60 V 至 200 V 范围内的产品组合具有 1 级湿度敏感度等级 (MSL)，这使得它们适合标准存储和处理条件。

在高压领域（≥600 V），我们提供各种各样的 SMD 封装，从 TOLL、TOLT、ThinPAK 5x6、DFN 8x8 到顶部和底部冷却的 DSO。这些封装可满足不同的设计要求，完美融合了紧凑的尺寸、改进的热性能、成本效益和设计灵活性。

GaN 开关有哪些类型？

您知道 GaN HEMT、GaN FET、GaN 晶体管和 GaN 功率半导体等术语都是指 GaN 晶体管产品吗？

• GaN HEMT：一种采用高电子迁移率晶体管（HEMT）结构的 GaN 晶体管技术描述。

• GaN FET：长期从事传统硅场效应晶体管技术研究的人员对 GaN 晶体管的浅显介绍。

• GaN 晶体管：一个更宽泛的术语，包括 HEMT 和其他较少使用的晶体管结构。

• GaN 功率半导体：一个非常宽泛的术语，包括分立器件或集成了传感、驱动器等附加功能的 GaN 晶体管。

• CoolGaN™ 晶体管：英飞凌开发的一种特定类型的 GaN HEMT 晶体管，以器件性能高、质量好、可靠性高而著称。

对我们的 CoolGaN™ 解决方案感兴趣吗？

英飞凌的分立式和集成式 CoolGaN™ 解决方案为消费、工业和汽车应用提供最高的效率和功率密度。如果您对我们的 CoolGaN™ 产品和解决方案感兴趣，请随时联系我们的 GaN 专家。

请与我们联系

英飞凌的 GaN 晶体管有哪些优势？

• 想要提高系统效率？通过使用英飞凌的 GaN 晶体管，您可以显著降低开关损耗，从而提高整体系统效率。

• 如何提高功率密度？英飞凌的 GaN 器件具有更高的开关频率，因此可以使用更小的无源元件，从而有助于减小设计的整体尺寸。

• 想要减轻系统重量？英飞凌的 GaN 晶体管能够使用更少的材料和更小的元件，从而减轻系统重量。凭借出色的开关速度，这些晶体管可提供高功率密度，同时最大限度地减少各种应用中的能量损耗，使设计人员能够创建更小、更轻、更紧凑的系统，同时仍能提供顶级性能。

与传统硅（Si）开关相比，英飞凌的 GaN 晶体管具有更高的散热性能，有助于在人工智能数据中心等大电流应用中使用，并能提高可靠性。英飞凌的 CoolGaN™ 晶体管专为坚固、耐用和承受高压尖峰而设计，可确保您的应用具有更长的使用寿命。

GaN 栅极驱动器 IC

合适的栅极驱动器 IC 是不可避免的，因为它可以帮助设计人员在最大限度地降低成本的同时实现最佳性能。我们广泛的产品组合包括为 GaN 量身定制的单通道和双通道隔离和非隔离栅极驱动器。其中，还有一系列具有真正差分输入的单通道非隔离器件，即 EiceDRIVER™ 1EDN TDI 系列。 

查看我们的 EiceDRIVER™产品组合，了解适合您的 GaN 设计的栅极驱动器 IC。

GaN 栅极驱动器 IC

GaN 封装

采用 PQFN 3x3 和 PQFN 3x5 封装的 60 V 至 200 V 范围内的产品组合具有 1 级湿度敏感度等级 (MSL)，这使得它们适合标准存储和处理条件。

在高压领域（≥600 V），我们提供各种各样的 SMD 封装，从 TOLL、TOLT、ThinPAK 5x6、DFN 8x8 到顶部和底部冷却的 DSO。这些封装可满足不同的设计要求，完美融合了紧凑的尺寸、改进的热性能、成本效益和设计灵活性。

GaN 开关有哪些类型？

您知道 GaN HEMT、GaN FET、GaN 晶体管和 GaN 功率半导体等术语都是指 GaN 晶体管产品吗？

• GaN HEMT：一种采用高电子迁移率晶体管（HEMT）结构的 GaN 晶体管技术描述。

• GaN FET：长期从事传统硅场效应晶体管技术研究的人员对 GaN 晶体管的浅显介绍。

• GaN 晶体管：一个更宽泛的术语，包括 HEMT 和其他较少使用的晶体管结构。

• GaN 功率半导体：一个非常宽泛的术语，包括分立器件或集成了传感、驱动器等附加功能的 GaN 晶体管。

• CoolGaN™ 晶体管：英飞凌开发的一种特定类型的 GaN HEMT 晶体管，以器件性能高、质量好、可靠性高而著称。

对我们的 CoolGaN™ 解决方案感兴趣吗？

英飞凌的分立式和集成式 CoolGaN™ 解决方案为消费、工业和汽车应用提供最高的效率和功率密度。如果您对我们的 CoolGaN™ 产品和解决方案感兴趣，请随时联系我们的 GaN 专家。

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