IPC26N12NR

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数据手册

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IPC26N12NR
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数据手册

商品详情

  • EAS/雪崩能量
    45 mJ
  • RDS (on)
    3.2 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    100 mΩ
  • 最高 VBRDSS
    120 V
  • VDS
    120 V
  • 最高 VDS
    120 V
  • VGS(th) 范围
    2 V 至 4 V
  • 厚度
    250
  • 技术
    OptiMOS™ 3
  • 极性
    N
  • 模式
    Enhancement
  • 电压等级
    120 V
  • 芯片尺寸 (Y)
    4.36 mm
  • 芯片尺寸 (Area)
    26.16 mm²
  • 芯片尺寸 (X)
    6 mm
  • 输出驱动器
    1
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
OptiMOS™ 裸片集极低的导通电阻 (RDS (on)) 和快速的开关特性于一身，其出色的性能非常适合各种工业和消费类应用。从大电流电机控制应用到快速开关 DC-DC 转换器或 D 类音频放大器，英飞凌的产品均具有出色的性能、最高的效率和最小的空间要求。

特性

  • 出色的开关性能
  • 出色的 R DS(on) 和 FOM
  • 非常低的 Q g 和 Q gd

产品优势

  • 提高效率
  • 最高功率密度
  • 减少并联需求
  • 最小的电路板空间消耗
  • 易于设计的产品
  • 环保

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区