请注意,这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意,这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
视图替换
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

IPP80R600P7

停产
效率和散热性能的基准

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

商品详情

  • ID (@25°C) max
    8 A
  • ID max
    8 A
  • IDpuls max
    22 A
  • Ptot max
    60 W
  • Qgd
    8 nC
  • QG
    20 nC
  • QG (typ @10V)
    20 nC
  • RDS (on) max
    600 mΩ
  • RDS (on) (@10V) max
    600 mΩ
  • RthJA max
    62 K/W
  • RthJC max
    2.1 K/W
  • Rth
    2.1 K/W
  • VDS max
    800 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    THT
  • 封装
    TO220
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    price/performance
  • 预算价格€/1k
    0.64
OPN
IPP80R600P7XKSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
封装名 TO220
包装尺寸 500
包装类型 TUBE
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
凭借 800 V CoolMOS™ P7 系列,英飞凌在 800 V 超结技术方面树立了基准,并将一流的性能与最先进的易用性相结合。坚固的栅极模块、体二极管以及快速简洁的开关特性使该产品系列成为基于反激式的消费类开关电源应用的理想之选。它还适用于消费类PFC平台、太阳能、适配器、音频、照明应用。

特性

  • 同类最佳的 FOM R DS(on) * E oss;降低的 Qg、C iss 和 C oss
  • 同类最佳的 DPAK R DS(on) 为 280mΩ
  • 同类最佳的 V (GS)th 为 3V 且最小 V (GS)th 变化为 ± 0.5V
  • 集成齐纳二极管 ESD 保护,最高可达 2 级 (HBM)
  • 同类最佳的质量和可靠性
  • 全面优化的产品组合

产品优势

  • 与 CoolMOS ™ C3 相比,效率提升 0.1% 至 0.6%,MOSFET 温度降低 2°C 至 8°C
  • 实现更高功率密度的设计、节省 BOM 并降低组装成本
  • 易于驱动和设计导入
  • 通过减少 ESD 相关故障来提高生产良率
  • 减少生产问题并减少现场退货
  • 轻松选择合适的部件进行设计微调

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }