IRHNJ6S7130SCS

数据手册

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IRHNJ6S7130SCS
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数据手册

商品详情

  • ESD等级
    Class 2
  • ID (@100°C) max
    19 A
  • ID (@25°C) max
    22 A
  • QG
    50 nC
  • RDS (on) (@25°C) max
    42 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS
    100 V
  • VF max
    1.2 V
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100 300
  • 封装
    SMD-0.5
  • 极性
    N
  • 生成
    R6
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    QIRL
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
抗辐射 N 沟道 MOSFET IRHNJ6S7130SCS 是一款单个器件，额定电压为 100V，容量为 22A，采用 SMD-0.5 封装。QIRL 符合太空标准，可提供高达 100krad(Si) TID 的电气性能。其低 RDS(on) 和更快的开关时间使其成为高速开关应用的理想选择，而其电压控制和温度稳定性使其易于在各种高可靠性设置中使用。

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

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