IRHY57234CMSES

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IRHY57234CMSES
IRHY57234CMSES

商品详情

  • ESD等级
    Class 1C
  • ID (@100°C) max
    6.4 A
  • ID (@25°C) max
    10 A
  • QG
    32 nC
  • QPL部件号
    2N7556T3
  • RDS (on) (@25°C) max
    410 mΩ
  • SEE
    Yes
  • TID max
    100 Krad(Si)
  • VBRDSS min
    250 V
  • VF max
    1.2 V
  • 产品类别
    Rad hard MOSFETS
  • 可选TID等级 (kRad(si))
    100
  • 封装
    TO-257AA
  • 极性
    N
  • 生成
    R5
  • 电压等级
    100 V
  • 芯片尺寸
    3
  • 认证标准
    COTS
  • 语言
    SPICE
  • 配置
    Discrete
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
IRHY57234CMSES 抗辐射 R5 N 沟道 MOSFET 是一款适用于空间应用的高性能 COTS 功率器件。该器件额定值为 250V/10A,具有低 RDS(on) 和低栅极电荷,可降低 DC-DC 转换器和电机控制中的功率损耗。其可靠性通过数十年的性能和特性得到保证。其电气性能高达 100krad(Si) TID 并采用 R5 TO-257AA 封装,是空间电源系统的理想选择。

应用

文档

设计资源

开发者社区

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