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概述

在标准通孔封装（例如 TO-220 或 TO-247）中，每个引线焊盘都类似于寄生电感。TO-247 4pin 封装具有额外的开尔文发射极引脚。此 4 引脚也称为开尔文发射极，绕过栅极控制回路上的发射极引线电感，从而提高了 IGBT 的开关速度并降低了开关损耗。

主要特性
  • 额外的开尔文发射极连接
  • 降低开关损耗
  • 提高 IGBT 的开关速度
  • 寄生电感的相似性

产品

关于

关于带开尔文发射极的 TO-247 4 引脚封装

采用开尔文发射极的 TO-247 4 引脚封装可加快换向速度，改善 IGBT 的开关性能。与标准 TO-247 封装相比，动态损耗降低了 20%，从而提高了整体系统效率，并使 IGBT 能够在较低温度下工作。

IGBT 的开关速度越快，TO-247 4pin 带来的好处就越大。

关于 1200 V IGBT 的 TO-247PLUS 4pin封装

采用 4pin 封装，效率更高，开关损耗更低：我们的 TO-247PLUS 4pin 封装的特点是第 4 个引脚用于连接驱动 IC 。第 4 引脚消除了发射极引脚电感对栅极控制环路的影响，因此 IGBT 对驱动 IC 信号的响应速度更快。IGBT 的响应速度更快，可减少开关损耗，并实现更快的开通和关断。使用 4pin 封装而不是 3pin 封装可以将总开关损耗降低 20% 以上。

更高的效率更高的功率密度 - 更低的成本：更高的效率和更低的成本是下一代设计的共同关键要求。但是，能否以更低的成本实现更高的系统性能？

由于很大一部分功率损耗发生在逆变器电路中的功率器件上，因此降低功率开关的损耗或提高其效率会直接影响系统的功率输出。系统中损失的能量越少，转化为输出功率的能量就越多，系统功率密度也就越高。损失的能量越少，转移到输出的能量越多，输出功率成本就越低，输出功率成本是千瓦/欧元。

适用于 1200 V IGBT 的 TO-247PLUS 4pin 封装的特性和优势

用于 1200 V IGBT 的 TO-247PLUS 4 引脚封装具有重要的关键特性，例如：最高额定电流的共封装 75 A 1200 V IGBT 与 75 A 二极管共封装；与标准 TO-247 相比，热阻 Rth(jh) 降低 20%；发射极爬电距离为 5.4 mm，与标准 TO-247 相比，TO-247PLUS 的热阻 Rth(jh) 降低了 20%，系统功率密度更高，Ic 从 40 A 提高到 75 A 1200 V，系统热性能保持不变，热阻 Rth(jh) 降低了 20%，散热能力提高了约 15%。

TO-247 4pin 开尔文发射极封装的 TRENCHSTOP™ 5

将 TO-247 4pin 开尔文发射极封装与 TRENCHSTOP™ 5 IGBT 结合使用时会发生什么？与采用标准 TO-247 封装的 TRENCHSTOP™ 5 IGBT 相比，IGBT 性能得到提升，开关损耗降低了 20%。

对创新和成本改进的不懈追求仍在继续。但是，解决方案在哪里？这就是英飞凌新型 TRENCHSTOP™ 分立 IGBT 技术与新型 TO-247 4 针开尔文发射极封装相结合的优势所在。通过采用第 4 个发射极检测引脚，它可将引线电感降低 20%。而且，在满载条件下，它可以降低 20% 的开关损耗。

此外，据我们的客户报告，在 PFC 和逆变器级中结合使用 TRENCHSTOP™ 5 分立式 IGBT 和 TO-247 4 引脚封装时，系统效率足足提高了 1%。我们在业内率先突破了 97% 的系统效率大关。此外，更高的效率和高速开关能力也提高了功率密度。工作频率高达 100 kHz，与最接近的竞争对手 IGBT 相比，无源元件尺寸可大幅缩小，功率密度可提高一倍。从而节省了成本和空间。

采用 TO-247 4pin 封装的 TRENCHSTOP™ 5 的特性和优势

采用 TO-247 4 针开尔文发射极封装的 TRENCHSTOP™ 5 具有一些重要的关键特性，例如：与采用相同技术的 TO-247 封装相比，总开关损耗降低了 20%；控制电感回路极低；发射极引脚用于驱动器反馈；与标准 TO-247 相比，系统效率有所提高；大电流条件下的效益增加；IGBT 在较低的结温下工作；过流条件下的功率耗散大大降低。

关于带开尔文发射极的 TO-247 4 引脚封装

采用开尔文发射极的 TO-247 4 引脚封装可加快换向速度，改善 IGBT 的开关性能。与标准 TO-247 封装相比，动态损耗降低了 20%，从而提高了整体系统效率，并使 IGBT 能够在较低温度下工作。

IGBT 的开关速度越快，TO-247 4pin 带来的好处就越大。

关于 1200 V IGBT 的 TO-247PLUS 4pin封装

采用 4pin 封装，效率更高，开关损耗更低：我们的 TO-247PLUS 4pin 封装的特点是第 4 个引脚用于连接驱动 IC 。第 4 引脚消除了发射极引脚电感对栅极控制环路的影响，因此 IGBT 对驱动 IC 信号的响应速度更快。IGBT 的响应速度更快，可减少开关损耗，并实现更快的开通和关断。使用 4pin 封装而不是 3pin 封装可以将总开关损耗降低 20% 以上。

更高的效率更高的功率密度 - 更低的成本：更高的效率和更低的成本是下一代设计的共同关键要求。但是，能否以更低的成本实现更高的系统性能？

由于很大一部分功率损耗发生在逆变器电路中的功率器件上，因此降低功率开关的损耗或提高其效率会直接影响系统的功率输出。系统中损失的能量越少，转化为输出功率的能量就越多，系统功率密度也就越高。损失的能量越少，转移到输出的能量越多，输出功率成本就越低，输出功率成本是千瓦/欧元。

适用于 1200 V IGBT 的 TO-247PLUS 4pin 封装的特性和优势

用于 1200 V IGBT 的 TO-247PLUS 4 引脚封装具有重要的关键特性，例如：最高额定电流的共封装 75 A 1200 V IGBT 与 75 A 二极管共封装；与标准 TO-247 相比，热阻 Rth(jh) 降低 20%；发射极爬电距离为 5.4 mm，与标准 TO-247 相比，TO-247PLUS 的热阻 Rth(jh) 降低了 20%，系统功率密度更高，Ic 从 40 A 提高到 75 A 1200 V，系统热性能保持不变，热阻 Rth(jh) 降低了 20%，散热能力提高了约 15%。

TO-247 4pin 开尔文发射极封装的 TRENCHSTOP™ 5

将 TO-247 4pin 开尔文发射极封装与 TRENCHSTOP™ 5 IGBT 结合使用时会发生什么？与采用标准 TO-247 封装的 TRENCHSTOP™ 5 IGBT 相比，IGBT 性能得到提升，开关损耗降低了 20%。

对创新和成本改进的不懈追求仍在继续。但是，解决方案在哪里？这就是英飞凌新型 TRENCHSTOP™ 分立 IGBT 技术与新型 TO-247 4 针开尔文发射极封装相结合的优势所在。通过采用第 4 个发射极检测引脚，它可将引线电感降低 20%。而且，在满载条件下，它可以降低 20% 的开关损耗。

此外，据我们的客户报告，在 PFC 和逆变器级中结合使用 TRENCHSTOP™ 5 分立式 IGBT 和 TO-247 4 引脚封装时，系统效率足足提高了 1%。我们在业内率先突破了 97% 的系统效率大关。此外，更高的效率和高速开关能力也提高了功率密度。工作频率高达 100 kHz，与最接近的竞争对手 IGBT 相比，无源元件尺寸可大幅缩小，功率密度可提高一倍。从而节省了成本和空间。

采用 TO-247 4pin 封装的 TRENCHSTOP™ 5 的特性和优势

采用 TO-247 4 针开尔文发射极封装的 TRENCHSTOP™ 5 具有一些重要的关键特性，例如：与采用相同技术的 TO-247 封装相比，总开关损耗降低了 20%；控制电感回路极低；发射极引脚用于驱动器反馈；与标准 TO-247 相比，系统效率有所提高；大电流条件下的效益增加；IGBT 在较低的结温下工作；过流条件下的功率耗散大大降低。

文档

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