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60 V/80 V/100 V 逻辑电平 OptiMOS™ 5 和 IR MOSFET

逻辑电平 MOSFET 适用于需要低 VGS 的应用

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概述

英飞凌的逻辑电平 MOSFET 有三种电压等级（60 V、80 V 和 100 V）可供选择，采用 PQFN 2x2、PQFN 3.3x3.3 和 superSO8 封装，适用于无线充电、笔记本电脑适配器和电信应用。

关键特性

  • 采用小封装的低 RDS(on) 和 Qg
  • 高功率密度设计
  • 高开关频率
  • 逻辑电平兼容
  • 直接由微控制器驱动
  • 降低系统成本
  • 最小的封装规格 PQFN 2x2

产品

关于

低 Qg 的逻辑电平 MOSFET

这些器件的栅极电荷 (Qg)很低， 在不影响导通性能的情况下降低了开关损耗。 改进的性能系数使器件可以在高频下运行。 此外，逻辑电平 MOSFET 的栅极阈值电压 (VGS (th))比较低，可以在5V电压下直接由微控制器驱动。

功率 MOSFET 阈值电压概述

栅极阈值电压的定义，VGS（th）：在功率 MOSFET 的源极和漏极之间创建导电路径所需的最小栅极到源极电压。

在阈值电压方面，英飞凌（以及业界）提供了多种选择：

  • 正常水平（NL），栅极阈值电压范围为~2 至 4 V
  • 逻辑电平 (LL)，栅极阈值电压范围为 ~1 至 3 V
  • 超级逻辑电平 (SLL)，栅极阈值电压范围为 ~0.5 至 1 V
为什么要使用逻辑电平 MOSFET

在低频应用中，可以直接从微控制器直接驱动 MOSFET，而无需外部 MOSFET 驱动器。 某些系统的总线电压有限（例如 5 V），因此需要使用逻辑电平/超级逻辑电平器件。

为什么要使用标准电平 (NL) 器件

在嘈杂的环境中，较高的阈值电压可防止 MOSFET 误导通。 这些器件有较低的栅极电荷和 RDS(on) ，通常不限于 < = 100 V 器件。

低 Qg 的逻辑电平 MOSFET

这些器件的栅极电荷 (Qg)很低， 在不影响导通性能的情况下降低了开关损耗。 改进的性能系数使器件可以在高频下运行。 此外，逻辑电平 MOSFET 的栅极阈值电压 (VGS (th))比较低，可以在5V电压下直接由微控制器驱动。

功率 MOSFET 阈值电压概述

栅极阈值电压的定义，VGS（th）：在功率 MOSFET 的源极和漏极之间创建导电路径所需的最小栅极到源极电压。

在阈值电压方面，英飞凌（以及业界）提供了多种选择：

  • 正常水平（NL），栅极阈值电压范围为~2 至 4 V
  • 逻辑电平 (LL)，栅极阈值电压范围为 ~1 至 3 V
  • 超级逻辑电平 (SLL)，栅极阈值电压范围为 ~0.5 至 1 V

为什么要使用逻辑电平 MOSFET

在低频应用中，可以直接从微控制器直接驱动 MOSFET，而无需外部 MOSFET 驱动器。 某些系统的总线电压有限（例如 5 V），因此需要使用逻辑电平/超级逻辑电平器件。

为什么要使用标准电平 (NL) 器件

在嘈杂的环境中，较高的阈值电压可防止 MOSFET 误导通。 这些器件有较低的栅极电荷和 RDS(on) ，通常不限于 < = 100 V 器件。

文档

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