IPB073N15N5
现货，推荐
符合RoHS标准

IPB073N15N5

数据手册
封装

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IPB073N15N5
IPB073N15N5
数据手册
  • Ciss
    3600 pF
  • Coss
    900 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    114 A
  • 最高 IDpuls
    456 A
  • 最高 Ptot
    214 W
  • Qgd
    10 nC
  • QG (typ @10V)
    49 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    7.3 mΩ
  • 最高 RthJA
    62 K/W
  • 最高 RthJC
    0.7 K/W
  • Rth
    0.7 K/W
  • 最高 VDS
    150 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 4.6 V
  • VGS(th)
    3.8 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    D2PAK (TO-263)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    3 Pins
  • 极性
    N
  • 蓄电池电压
    72-96 V
  • 预算价格€/1k
    1.43
推荐的
OPN
IPB073N15N5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-3
封装名 D2PAK
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 5 150 V 功率 MOSFET 特别适用于叉车和电动滑板车等低压驱动，以及电信和太阳能应用，在不影响 FOM gd 和 FOM OSS 的情况下，突破性地降低了 R DS(on)（与 SuperSO8 中的下一个最佳替代方案相比，降低了高达 25%）和 Q rr，从而有效减少了设计工作量，同时优化了系统效率。

特性

  • 坚固的 FOMgd 和 FOMoss，具有较低的 RDS(on)
  • 较低的输出电荷
  • 超低反向恢复电荷
  • 提高换向坚固性
  • 可实现更高的开关频率

产品优势

  • 减少并联
  • 更高功率密度的设计
  • 更坚固的产品
  • 降低系统成本
  • 改善 EMI 行为
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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