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概述

了解新型 CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 如何将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。与 Si 替代品相比，SiC MOSFET 可以在许多应用中提供额外的性能，其中包括光伏逆变器、热量存储系统、电动汽车充电、电源、电机驱动、牵引逆变器、板载充电器、DC 对 DC 转换器等。

主要特性
  • 650 V/1200 V CoolSiC™ MOSFET G2
  • 最低可用 R DS(on)
  • 广泛的产品组合
  • 独特的坚固特性
应用
电动汽车充电
储能系统
马达控制
光伏

产品

关于

每处理一瓦特电能的能源效率

功率损耗很重要。探索新型 CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽技术如何改善交流/直流、直流/直流、直流/交流电源方案中常用拓扑结构的功率传输。与上一代产品相比，硬开关和软开关 MOSFET 工作的关键性能指标提高了 20% 以上。快速开关能力（即 SiC MOSFET 的特征）提高了 30% 以上。因此，G2 在光伏逆变器、ESS 安装、电动汽车充电、UPS、牵引逆变器、车载充电器、DC-DC 转换器等所有运行模式下均能以较低的功率损耗运行。以三相电源方案为例，与上一代产品相比，1200 V CoolSiC™ G2 的运行功率损耗根据负载情况降低了 5-30%，从而使现场处理的每瓦电能都能实现节能。

英飞凌独特的 .XT 互联技术（如 TO-263-7 和 TO-247-4 分立封装）的进一步发展有助于克服在提高半导体芯片性能的同时保持其散热能力这一共同挑战。G2 的热性能现在提高了 12%，将芯片品质因数提升到了 SiC 性能的新水平。

提高特定外形尺寸下的功率标准

结合 SiC 的优点：小尺寸、低功耗。SiC MOSFET 的导通电阻越低，传导损耗就越低，从而可以提高能源效率、功率密度并减少零件数量。CoolSiC™ G2 MOSFET 产品组合提升了 SiC MOSFET 市场中的最低 Rdson。 采用一流的SMD封装产品，可在TO263-7尺寸规格下提供650 V下7毫欧姆和1200 V下8毫欧姆的额定值。采用.XT技术改进的封装互连可降低热阻、提高输出功率并降低工作温度。SMD 外形尺寸可提供的功率增加了 60% 以上，并提高了电源转换方案中功率密度的标准。

为利用碳化硅性能设定新标准

最大限度地利用在 SiC 上投资的每一欧元。探索CoolSiC™ MOSFET G2 产品中的一系列新稳健性特性，以在长期现场运行中达到最佳性能。

系统设计人员现在可以受益于 1200 V 产品组合中 150°C 时最大导通电阻的数据表规格。当在正常操作期间高温下不必考虑由于分布不确定性而产生的额外裕度时，可以充分利用 SiC MOSFET 的功能。

1200 V CoolSiC™ MOSFET G2 数据表中包含高达 200°C 虚拟结温的过载操作，并首先在 TO-263-7 封装中推出。 为了应对电网波动等引起的过载事件，系统设计人员可以设计比上一代更高的输出电流或减少冷却工作。数据表级别上指定的雪崩鲁棒性进一步简化了此类过流事件的系统设计工作。

CoolSiC™ MOSFET G2 产品的数据表规格支持强大的抗意外开启事件能力、硬换向期间坚固的体二极管操作以及短路能力。

CoolSiC™ 是英飞凌质量领先地位的又一典范

所有现代硅功率器件都基于沟槽技术，并已取代了平面技术。那么碳化硅呢？就碳化硅而言，沟槽设计在性能优势方面与硅功率 MOSFET 技术的发展有许多相似之处。采用碳化硅沟槽设计还有一个显著优势，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面的缺陷密度。

这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。可靠性是英飞凌所有功率器件开发的基础，CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽技术保持了 G1 的高可靠性。基于所有已售 CoolSiC™ MOSFET G1、分立器件和工业级模块的 DPM（百万分之一缺陷率）数据显示，SiC 的产品回报率甚至低于硅基电源开关这一非常成熟的技术。英飞凌还率先开展了应用寿命测试，如今某些测试已被纳入 JEDEC 标准。无论现在还是将来，CoolSiC™沟槽 MOSFET 设计都将推动能源效率的可持续竞争力。

每处理一瓦特电能的能源效率

功率损耗很重要。探索新型 CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽技术如何改善交流/直流、直流/直流、直流/交流电源方案中常用拓扑结构的功率传输。与上一代产品相比，硬开关和软开关 MOSFET 工作的关键性能指标提高了 20% 以上。快速开关能力（即 SiC MOSFET 的特征）提高了 30% 以上。因此，G2 在光伏逆变器、ESS 安装、电动汽车充电、UPS、牵引逆变器、车载充电器、DC-DC 转换器等所有运行模式下均能以较低的功率损耗运行。以三相电源方案为例，与上一代产品相比，1200 V CoolSiC™ G2 的运行功率损耗根据负载情况降低了 5-30%，从而使现场处理的每瓦电能都能实现节能。

英飞凌独特的 .XT 互联技术（如 TO-263-7 和 TO-247-4 分立封装）的进一步发展有助于克服在提高半导体芯片性能的同时保持其散热能力这一共同挑战。G2 的热性能现在提高了 12%，将芯片品质因数提升到了 SiC 性能的新水平。

提高特定外形尺寸下的功率标准

结合 SiC 的优点：小尺寸、低功耗。SiC MOSFET 的导通电阻越低，传导损耗就越低，从而可以提高能源效率、功率密度并减少零件数量。CoolSiC™ G2 MOSFET 产品组合提升了 SiC MOSFET 市场中的最低 Rdson。 采用一流的SMD封装产品，可在TO263-7尺寸规格下提供650 V下7毫欧姆和1200 V下8毫欧姆的额定值。采用.XT技术改进的封装互连可降低热阻、提高输出功率并降低工作温度。SMD 外形尺寸可提供的功率增加了 60% 以上，并提高了电源转换方案中功率密度的标准。

为利用碳化硅性能设定新标准

最大限度地利用在 SiC 上投资的每一欧元。探索CoolSiC™ MOSFET G2 产品中的一系列新稳健性特性，以在长期现场运行中达到最佳性能。

系统设计人员现在可以受益于 1200 V 产品组合中 150°C 时最大导通电阻的数据表规格。当在正常操作期间高温下不必考虑由于分布不确定性而产生的额外裕度时，可以充分利用 SiC MOSFET 的功能。

1200 V CoolSiC™ MOSFET G2 数据表中包含高达 200°C 虚拟结温的过载操作，并首先在 TO-263-7 封装中推出。 为了应对电网波动等引起的过载事件，系统设计人员可以设计比上一代更高的输出电流或减少冷却工作。数据表级别上指定的雪崩鲁棒性进一步简化了此类过流事件的系统设计工作。

CoolSiC™ MOSFET G2 产品的数据表规格支持强大的抗意外开启事件能力、硬换向期间坚固的体二极管操作以及短路能力。

CoolSiC™ 是英飞凌质量领先地位的又一典范

所有现代硅功率器件都基于沟槽技术，并已取代了平面技术。那么碳化硅呢？就碳化硅而言，沟槽设计在性能优势方面与硅功率 MOSFET 技术的发展有许多相似之处。采用碳化硅沟槽设计还有一个显著优势，即可靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面的缺陷密度。

这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。可靠性是英飞凌所有功率器件开发的基础，CoolSiC™ MOSFET G2 沟槽技术保持了 G1 的高可靠性。基于所有已售 CoolSiC™ MOSFET G1、分立器件和工业级模块的 DPM（百万分之一缺陷率）数据显示，SiC 的产品回报率甚至低于硅基电源开关这一非常成熟的技术。英飞凌还率先开展了应用寿命测试，如今某些测试已被纳入 JEDEC 标准。无论现在还是将来，CoolSiC™沟槽 MOSFET 设计都将推动能源效率的可持续竞争力。

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