IPT023N10NM5LF2
现货，推荐
符合RoHS标准

IPT023N10NM5LF2

OptiMOS ™ 5 单 N 沟道线性 FET 2 100 V、2.3 mΩ、243 A，采用 TOLL 封装
数据手册
封装

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IPT023N10NM5LF2
IPT023N10NM5LF2
数据手册

商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    243 A
  • QG (typ @10V)
    115 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.3 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • VGS(th) 范围
    2.3 V 至 3.9 V
  • VGS(th)
    3.1 V
  • 封装
    TOLL (HSOF-8)
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Wide SOA
推荐的
OPN
IPT023N10NM5LF2ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HSOF-8
封装名 TOLL
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 5 Linear FET 2 技术实现了导通电阻和线性模式能力之间的最佳平衡。 IPT023N10NM5LF2 与 TOLL 封装相结合，适用于浪涌电流保护，例如热插拔、电子保险丝和电池管理系统 (BMS) 中的电池保护。

特性

  • 宽安全操作区 (SOA)
  • 低 RDS(on)
  • 与线性 FET 相比，IGSS 更低
  • 优化传输特性

产品优势

  • 坚固的线性模式操作
  • 低条件损失
  • 改进了栅极驱动器兼容性
  • 更好的电流共享
文档

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