AIMBG120R080M1
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMBG120R080M1

CoolSiC™ Automotive MOSFET 1200V G1p in D2PAK-7 package
数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

AIMBG120R080M1
AIMBG120R080M1
数据手册
  • Ciss
    671 pF
  • Coss
    35 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    30 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    168 W
  • QG
    24 nC
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    80 mΩ
  • 最高 RthJC
    0.89 K/W
  • 最高 VDS
    1200 V
  • VGSS, off
    0
  • VGSS, on
    20
  • 封装
    TO-263-7
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 推出年份
    2023
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AIMBG120R080M1XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO263-7
封装名 D2PAK 7-pin
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
With Infineon’s performance optimized chip technology (Gen1p), the SiC MOSFET features best-in-class switching performance, robustness against parasitic turn-ons, as well as improved RDSon and Rth(j-c). High power density, superior efficiency, bi-directional charging capabilities and significant reductions in system costs making it an ideal choice for on-board charger and DCDC applications.

特性

  • 革命性的半导体材料——碳化硅
  • 极低的开关损耗
  • 无阈值开启状态特性
  • 0V 关断栅极电压
  • 基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V
  • 完全可控的 dv/dt
  • 换向稳健的体二极管，可用于同步整流
  • 与温度无关的关断开关损耗
  • 用于优化开关性能的感测引脚
  • 适合高压爬电要求
  • XT 互连技术，实现一流的热性能

产品优势

  • 提高效率
  • 启用更高频率
  • 提高功率密度
  • 减少冷却工作量
  • 降低系统复杂性和成本
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }