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微型逆变器解决方案
利用英飞凌针对应用优化、高效节能的半导体产品,构建可靠的单块及多块光伏板微型逆变器设计。
-
在本页
概述
微型逆变器是直流交流逆变器,可在光伏电池板后面提供功率转换。通过利用光伏板最高功率点跟踪 (MPPT),光伏微型逆变器可最大限度地提高所有环境条件和遮阳水平下的功率转换。此外,微型逆变器具有快速关断 (RSD) 功能和功率监控,可实现安全性和性能跟踪,使其成为住宅太阳能功率设计的理想选择。
产品优势
- 全面的产品组合
- 使用寿命超过 25 年
- 高品质和可靠性
- 创新的 GaN 解决方案
- 量身定制的栅极驱动器
- 高性能 MCU
框图
关于
微型逆变器需要在户外恶劣条件下运行。因此,具备紧凑的外形、高效率和较长的使用寿命是其能够投入使用的关键因素。例如,微型逆变器若出现故障,则需要在屋顶上更换零件,价格不菲且耗时耗力。因此,市场要求微型逆变器的使用寿命通常为 25 年,与光伏电池板的使用寿命相当。英飞凌通过卓越的制造工艺、精确的生产筛选和自动化,实现了高质量和可靠性标准。
英飞凌提供具有不同封装和技术的多种产品,包括 CoolGaN™ HEMT、OptiMOS™ 和 CoolSiC™ MOSFET、EiceDRIVER™ 2EDL 栅极驱动器 IC,以及 XMC™ 或 PSoC™ 高性能 MCU,使制造商能够为单面板和多面板优化器设计高效的解决方案。此外,该产品组合还包含 XENSIV™ 高精度霍尔效应电流传感器,以及需要额外存储器时的 EXCELON™ F-RAM。英飞凌的 AIROC™ 系列涵盖多种 Wi-Fi 和 Bluetooth® 产品,为微逆变器与云端之间的数据传输提供了解决方案。
英飞凌 OptiMOS™ 和 CoolMOS™ N 沟道 MOSFET 产品面向多种应用,满足最严格的要求。 我们的碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 技术开创了一个灵活的新时代,使设计人员能够将效率和可靠性提升到前所未有的水平。此外,我们的高压 CoolSiC™ MOSFET 技术在反向恢复特性方面也提供了大幅度改进。
另一方面,英飞凌 CoolGaN™ 是一种高效的氮化镓晶体管技术,可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。 凭借在半导体市场的丰富经验,英飞凌的氮化镓技术通过端到端的大批量生产使电子模式概念走向成熟。
每个开关都需要一个驱动器,而选择合适的驱动器会带来与众不同的效果。英飞凌提供全面的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合,具有各种配置、电压等级、隔离水平、保护功能和封装选项。EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 是对英飞凌 IGBT 分立器件和模块、硅 MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™ 和 StrongIRFET™)、碳化硅 MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓 HEMT(CoolGaN™)的补充,也可以作为我们的集成功率模块(CIPOS™ IPM 和 iMOTION™ 智能 IPM)的一部分。
具体而言,EiceDRIVER™ 2EDL81 系列双通道结隔离栅极驱动器 IC 专为半桥应用中的中压功率 MOSFET 而设计。由于微型逆变器应用中的 MCU 通常位于低压侧,因此次级(高压)侧需要具有增强隔离的栅极驱动器。在该种情况下,推荐使用 EiceDRIVER™ 2EDi 系列栅极驱动器。
与基于磁芯的电流传感器相比,英飞凌 XENSIV™ 系列高精度无磁芯开环电流传感器体积更小,成本也更低。基于英飞凌精确稳定的霍尔效应电流传感器技术,电流传感器模拟输出信号在温度和使用寿命范围内具有非常好的线性度。由于没有铁芯或导磁体,传感器信号没有磁滞和饱和现象。差分电流传感器测量使用了两个霍尔敏感元,即使在嘈杂的环境例如有来自相邻电流线或杂散磁场的串扰(这两者在微型逆变器应用中都很常见),也可确保其高精度。系统设计人员能够对传感器的灵敏度以及两个专用过流信号的阈值电平进行编程,因此无需任何外部组件即可使其适应个性化要求。非接触式电流传感器 IC 还会在电源电压过压或欠压情况下发出警告信号。
微控制器单元(MCU)在单个集成电路(IC)芯片上集成了 CPU、存储器以及输入和输出外围设备。MCU 就像一台小型独立计算机。这可以降低功耗,使设计更紧凑,并节省成本。此外,微控制器能够为嵌入式系统提供功能安全和保障。
同样至关重要的是,微控制器配备高级安全功能,以避免安全漏洞,防止恶意软件攻击。因此,新一代 32 位 MCU 为一系列嵌入式系统应用提供了强大的保护。英飞凌微控制器产品组合提供全面的产品系列,包括先进的 32 位微控制器,可提供强劲的性能和久经考验的安全解决方案;此外还包括传统的 8 位和 16 位微控制器。我们的 32 位 MCU 产品组合包括基于 Arm®Cortex-M® 技术的 XMC™ TRAVEO™ T2G、PSoC™、Auto PSoC™、FM™ 和 MOTIX™ 嵌入式电源(片上系统)。此外,我们还有采用了 TriCore™ 技术的 AURIX™ 系列产品。
EXCELON™ 系列内存产品提供高能效、高密度和可靠的数据记录。英飞凌的下一代铁电 RAM (F-RAM) 存储器通过将超低功耗操作与高速接口、即时非易失性和无限读/写周期耐久性相结合,提供业界功耗最低、任务关键型非易失性存储器。
您可以去了解英飞凌 AIROC™ Wi-Fi + Bluetooth® 组合产品,该产品组合提供多种安全、稳健的解决方案,助力您更快地将优质产品推向市场。AIROC™ + Wi-Fi SoC 包括片上 MCU、内存和网络协议,让您轻松创建自己的云连接应用。
微型逆变器需要在户外恶劣条件下运行。因此,具备紧凑的外形、高效率和较长的使用寿命是其能够投入使用的关键因素。例如,微型逆变器若出现故障,则需要在屋顶上更换零件,价格不菲且耗时耗力。因此,市场要求微型逆变器的使用寿命通常为 25 年,与光伏电池板的使用寿命相当。英飞凌通过卓越的制造工艺、精确的生产筛选和自动化,实现了高质量和可靠性标准。
英飞凌提供具有不同封装和技术的多种产品,包括 CoolGaN™ HEMT、OptiMOS™ 和 CoolSiC™ MOSFET、EiceDRIVER™ 2EDL 栅极驱动器 IC,以及 XMC™ 或 PSoC™ 高性能 MCU,使制造商能够为单面板和多面板优化器设计高效的解决方案。此外,该产品组合还包含 XENSIV™ 高精度霍尔效应电流传感器,以及需要额外存储器时的 EXCELON™ F-RAM。英飞凌的 AIROC™ 系列涵盖多种 Wi-Fi 和 Bluetooth® 产品,为微逆变器与云端之间的数据传输提供了解决方案。
英飞凌 OptiMOS™ 和 CoolMOS™ N 沟道 MOSFET 产品面向多种应用,满足最严格的要求。 我们的碳化硅 CoolSiC™ MOSFET 技术开创了一个灵活的新时代,使设计人员能够将效率和可靠性提升到前所未有的水平。此外,我们的高压 CoolSiC™ MOSFET 技术在反向恢复特性方面也提供了大幅度改进。
另一方面,英飞凌 CoolGaN™ 是一种高效的氮化镓晶体管技术,可在高达 600 V 的电压范围内进行功率转换。 凭借在半导体市场的丰富经验,英飞凌的氮化镓技术通过端到端的大批量生产使电子模式概念走向成熟。
每个开关都需要一个驱动器,而选择合适的驱动器会带来与众不同的效果。英飞凌提供全面的 EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 产品组合,具有各种配置、电压等级、隔离水平、保护功能和封装选项。EiceDRIVER™ 栅极驱动器 IC 是对英飞凌 IGBT 分立器件和模块、硅 MOSFET(CoolMOS™、OptiMOS™ 和 StrongIRFET™)、碳化硅 MOSFET(CoolSiC™)、氮化镓 HEMT(CoolGaN™)的补充,也可以作为我们的集成功率模块(CIPOS™ IPM 和 iMOTION™ 智能 IPM)的一部分。
具体而言,EiceDRIVER™ 2EDL81 系列双通道结隔离栅极驱动器 IC 专为半桥应用中的中压功率 MOSFET 而设计。由于微型逆变器应用中的 MCU 通常位于低压侧,因此次级(高压)侧需要具有增强隔离的栅极驱动器。在该种情况下,推荐使用 EiceDRIVER™ 2EDi 系列栅极驱动器。
与基于磁芯的电流传感器相比,英飞凌 XENSIV™ 系列高精度无磁芯开环电流传感器体积更小,成本也更低。基于英飞凌精确稳定的霍尔效应电流传感器技术,电流传感器模拟输出信号在温度和使用寿命范围内具有非常好的线性度。由于没有铁芯或导磁体,传感器信号没有磁滞和饱和现象。差分电流传感器测量使用了两个霍尔敏感元,即使在嘈杂的环境例如有来自相邻电流线或杂散磁场的串扰(这两者在微型逆变器应用中都很常见),也可确保其高精度。系统设计人员能够对传感器的灵敏度以及两个专用过流信号的阈值电平进行编程,因此无需任何外部组件即可使其适应个性化要求。非接触式电流传感器 IC 还会在电源电压过压或欠压情况下发出警告信号。
微控制器单元(MCU)在单个集成电路(IC)芯片上集成了 CPU、存储器以及输入和输出外围设备。MCU 就像一台小型独立计算机。这可以降低功耗,使设计更紧凑,并节省成本。此外,微控制器能够为嵌入式系统提供功能安全和保障。
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