IGC019S06S1
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IGC019S06S1

CoolGaN ™晶体管 60 V G3，采用 PQFN 3x5、1.4 mΩ
数据手册
封装

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IGC019S06S1
IGC019S06S1
数据手册
  • 最高 ID (@25°C)
    99 A
  • 最高 IDpuls (@25°C)
    380 A
  • QG
    13 nC
  • RDS (on) (typ)
    1.3 mΩ
  • 最高 VDS
    60 V
  • 封装
    PQFN
  • 环保认证
    RoHS compliant, Halogen free
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 系列
    CoolGaN™ Transistor 60 V G3
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
IGC019S06S1XTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSON-6
封装名 N/A
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSON-6
封装名 -
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

特性

  • 60 V e 模式功率晶体管
  • 双面冷却封装
  • 无反向恢复电荷
  • 反向传导能力
  • 低栅极电荷，低输出电荷
  • 符合 JEDEC 标准

产品优势

  • 一流的功率密度
  • 最高效率
  • 改进热管理
  • 实现更小、更轻的设计
  • 卓越的可靠性
  • 降低 BOM 成本
文档

设计资源

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