IGKA23S101S
新品
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

IGKA23S101S

新品
CoolGaN™ Transistor 100 V G3 in WLCSP 0.9x0.9, 185 mΩ
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

IGKA23S101S
IGKA23S101S
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    2.2 A
  • 最高 IDpuls (@25°C)
    9 A
  • QG
    0.2 nC
  • RDS (on) (typ)
    185 mΩ
  • 最高 VDS
    100 V
  • 封装
    WLCSP 0.9x0.9
  • 环保认证
    Halogen free, RoHS compliant
  • 目前计划的可用性至少到
    2035
  • 质量等级
    Consumer

推荐的
OPN
IGKA23S101SXTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 SG-UFWLB-4
封装名 N/A
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
CN
晶圆产地
DE

产品状态
Active
英飞凌封装名称 SG-UFWLB-4
封装名 -
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
CN
晶圆产地
DE
The IGKA23S101S is a 100 V normally-off power transistor housed in a small WLCSP 0.9x0.9 package, enabling high power density designs. Ideal choice for reliable performance in high frequency switching applications like wireless charging.

特性

  • 100 V e-mode transistor
  • Ultra fast switching and high efficiency
  • Low reverse conduction voltage
  • Space saving and highly robust package
  • No reverse recovery charge
  • Ultra low gate charge and output charge
  • Exposed die, top‑side thermal excellence
  • Moisture rating MSL1
  • Industrial grade package

产品优势

  • Enabling smaller designs
  • Reducing power losses
  • Lower cost
  • Enabling ultra high frequency switching
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区