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EVAL-1ED3142MU12F-SIC

1ED3142MU12F 评估板 - 2300 V、6.5 A、3 kV (rms) 单通道隔离栅极驱动器
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EVAL-1ED3142MU12F-SIC
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商品详情

  • Board Type
    Evaluation Board
  • Product Name
    EVAL-1ED3142MU12F-SIC
  • Sub Application
    Telecommunication, Server
  • Dimensions
    83 mm x 57 mm x 28 mm
  • Applications
    Power Supplies, Fast EV-charging, Motor control&drives, UPS, Solar
  • Topology
    Half Bridge
  • Target Application
    Fast EV charging, Server power supply, Solutions for photovoltaic energy systems, Uninterruptible Power Supplies (UPS), Motor Control & Drives
  • Family
    Gate Driver, CoolSiC™ MOSFET
  • Qualification
    Industrial
  • Input Type
    DC
受到推崇的
OPN
EVAL1ED3142MU12FSICTOBO1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称 --
封装名 N/A
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 No
Infineon stock last updated:
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产品状态
Active
英飞凌封装名称 --
封装名 -
包装尺寸 1
包装类型 CONTAINER
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
EVAL-1ED3142MU12F-SIC 采用两个 1ED3142MU12F 栅极驱动器 IC，分别用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。它预装了 CoolSiC ™ MOSFET IMZA120R020M1H，并配有用于隔离过流反馈的附加栅极驱动器 IC。1ED3142MU12F 提供独立的灌电流和源电流输出、稳定的时序、主动关断和短路钳位，可在单极或双极配置的宽电源电压范围内运行。

特性

  • 单通道隔离栅极驱动器
  • 适用于高达 2300 V 的 Si 和 SiC 开关
  • 2300 V 功能。失调电压能力
  • 电气隔离
  • 6.5典型的接收器和源峰值输出。
  • 最大 35 V。输出电源电压
  • 45 ns 特性。延迟 w/ 20 ns 输入
  • 高 CMTI >300 kV/μs
  • 独立的源输出和吸输出
  • 短路钳位
  • 有源关断
  • DSO-8 150 mil 窄体封装

Bill of Material

文档

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